時(shí)間：2025/4/28 19:45:21
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SGL160N60UFDTU 是一款基于硅技術(shù)的 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管（MOSFET），采用 UF 封裝。該器件主要應(yīng)用于高頻、高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等領(lǐng)域。其卓越的電氣性能使其在低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
SGL160N60UFDTU 的設(shè)計(jì)優(yōu)化了 Rds(on) 和柵極電荷之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)了更低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。此外，該器件具備較低的輸入電容和輸出電容，有助于提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。
型號：SGL160N60UFDTU
類型：N溝道 MOSFET
Vds（漏源電壓）：60V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：160mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
Id（連續(xù)漏極電流）：34A
Ptot（總功耗）：29W
Qg（柵極電荷）：23nC
Ciss（輸入電容）：1120pF
Coss（輸出電容）：205pF
EAS（雪崩能量）：1.7mJ
封裝：UF
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
SGL160N60UFDTU 具備以下關(guān)鍵特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低功率損耗。
2. 快速開關(guān)速度，得益于較小的柵極電荷（Qg）和輸出電容（Coss）。
3. 高電流處理能力，支持高達(dá) 34A 的連續(xù)漏極電流。
4. 優(yōu)異的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫（最高達(dá) 150°C）。
5. 良好的雪崩能力，能夠在過壓情況下提供一定的保護(hù)功能。
6. 緊湊型 UF 封裝，適合空間受限的應(yīng)用場景。
這些特性使得 SGL160N60UFDTU 成為高效電源管理的理想選擇。
SGL160N60UFDTU 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、反激式轉(zhuǎn)換器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制無刷直流電機(jī)（BLDC）、步進(jìn)電機(jī)等。
3. 負(fù)載切換：實(shí)現(xiàn)電子電路中的動(dòng)態(tài)負(fù)載管理。
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）：用于保護(hù)電池免受過流或短路的影響。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備：如伺服驅(qū)動(dòng)器、變頻器等。
由于其出色的電氣特性和緊湊封裝，該器件特別適合需要高效率和小型化的應(yīng)用場景。
SGL180N60UFDTU, SGL150N60UFDTU
