SGL50N60RUFDTU是一款高壓功率MOSFET,采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù)。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗之間的平衡,從而提高了效率和可靠性。該芯片具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及良好的熱性能�
型號(hào):SGL50N60RUFDTU
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�600V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
輸入電容(Ciss)�3500pF
開關(guān)�(shí)間:ton=40ns,toff=15ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
這款MOSFET的主要特�(diǎn)是高耐壓能力,達(dá)�600V,適用于各種高壓�(chǎng)�。其�,它具備較低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω),能夠減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
此外,SGL50N60RUFDTU還擁有非常短的開�(guān)�(shí)�,分別為40ns的開通時(shí)間和15ns的關(guān)斷時(shí)間,使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。該芯片采用了TO-247封裝,這種封裝形式有助于散�,確保在高功率操作下�(wěn)定運(yùn)��
該器件的工作溫度范圍寬廣,從-55℃到+175�,能夠在極端條件下可靠工�。同�(shí),它的輸入電容較�,降低了�(qū)�(dòng)功耗需�,�(jìn)一步提升了整體性能�
SGL50N60RUFDTU廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 高頻開關(guān)電源
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 逆變�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 工業(yè)控制
- 不間斷電�(UPS)
由于其高電壓承受能力和低�(dǎo)通電�,這款MOSFET特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
SGL50N60RUFDPU
SGL40N60RUFDTU
IRFP460
FDP50N60