SI1000-E-GM2R 是一款由 Siliconix(現(xiàn)為 Vishay 公司旗下品牌)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝,適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)合,例如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其低導(dǎo)通電阻特性有助于提高效率并降低功耗,同時(shí)具備快速開(kāi)關(guān)性能和良好的熱穩(wěn)定性。
SI1000 系列以其高性?xún)r(jià)比和可靠性著稱(chēng),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:13A
導(dǎo)通電阻:7.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
柵極電荷:4.8nC(典型值)
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=19ns,toff=12ns(典型值)
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
SI1000-E-GM2R 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗,適合高效能應(yīng)用。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,適用于開(kāi)關(guān)電源和脈寬調(diào)制 (PWM) 應(yīng)用。
3. 高度穩(wěn)健的設(shè)計(jì),可承受雪崩和瞬態(tài)條件下的能量沖擊。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿(mǎn)足國(guó)際法規(guī)要求。
5. 小型表面貼裝封裝 (TO-252),便于 PCB 布局和自動(dòng)化裝配。
6. 內(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提供額外保護(hù)功能。
該芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,具體包括:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
4. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的功率級(jí)控制。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案。
6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的充電管理模塊。
7. 電信設(shè)備中的電源分配與調(diào)節(jié)單元。
SI1000-D-GM2R, IRF530, FQP18N06L