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SI1000-E-GM2R 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 16:24:37 查看 閱讀:27

SI1000-E-GM2R 是一款由 Siliconix(現(xiàn)為 Vishay 公司旗下品牌)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TO-252 封裝,適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)合,例如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其低導(dǎo)通電阻特性有助于提高效率并降低功耗,同時(shí)具備快速開(kāi)關(guān)性能和良好的熱穩(wěn)定性。
  SI1000 系列以其高性?xún)r(jià)比和可靠性著稱(chēng),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:13A
  導(dǎo)通電阻:7.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
  柵極電荷:4.8nC(典型值)
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=19ns,toff=12ns(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI1000-E-GM2R 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗,適合高效能應(yīng)用。
  2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,適用于開(kāi)關(guān)電源和脈寬調(diào)制 (PWM) 應(yīng)用。
  3. 高度穩(wěn)健的設(shè)計(jì),可承受雪崩和瞬態(tài)條件下的能量沖擊。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿(mǎn)足國(guó)際法規(guī)要求。
  5. 小型表面貼裝封裝 (TO-252),便于 PCB 布局和自動(dòng)化裝配。
  6. 內(nèi)置反向二極管,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提供額外保護(hù)功能。

應(yīng)用

該芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,具體包括:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  4. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的功率級(jí)控制。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案。
  6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的充電管理模塊。
  7. 電信設(shè)備中的電源分配與調(diào)節(jié)單元。

替代型號(hào)

SI1000-D-GM2R, IRF530, FQP18N06L

si1000-e-gm2r推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

si1000-e-gm2r參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格2,500 : ¥72.02612卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計(jì)
  • 類(lèi)型TxRx + MCU
  • 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn)通用 ISM < 1GHz
  • 協(xié)議EZRadioPro
  • 調(diào)制FSK,GFSK,OOK
  • 頻率240MHz ~ 960MHz
  • 數(shù)據(jù)速率(最大值)256kbps
  • 功率 - 輸出20dBm
  • 靈敏度-121dBm
  • 存儲(chǔ)容量64kB 閃存,4.35kB RAM
  • 串行接口I2C,SPI,UART
  • GPIO22
  • 電壓 - 供電1.8V ~ 3.6V
  • 電流 - 接收18.5mA
  • 電流 - 傳輸85mA
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 封裝/外殼42-VFLGA 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商器件封裝42-LGA(5x7)