您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng)
登錄 |
免費注冊
SI1016X-T1-GE3
時間�2023/6/7 11:04:52
閱讀�314
概述
制造商:Vishay
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:Dual
晶體管極性:NandP-Channel
汲極/源極擊穿電壓�20V
�/源擊穿電壓:+/-6V
漏極連續(xù)電流�0.485A
功率耗散�280mW
最大工作溫度:+150�
安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-563-6
封裝:Reel
最小工作溫度:-55�
資料
廠商 |
---|
VISHAY |
Vishay Semiconductors |
si1016x-t1-ge3推薦供應(yīng)�
更多>
- �(chǎn)品型�
- 供應(yīng)�
- �(shù)�
- 廠商
- 封裝/批號
- 詢價
si1016x-t1-ge3相關(guān)型號推薦
si1016x-t1-ge3參數(shù)
- �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
- 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
- 家庭FET - 陣列
- 系列-
- FET �N � P 溝道
- FET 特點邏輯電平門
- 漏極至源極電�(Vdss)20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C485mA�370mA
- 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫歐 @ 600mA�4.5V
- Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
- 閘電�(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最�250mW
- 安裝類型表面貼裝
- 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
- 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
- 包裝帶卷 (TR)
- 其它名稱SI1016X-T1-GE3TR