時間：2025/5/12 13:25:04
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SI2301CDS是Vishay Siliconix推出的一款N溝道增強型功率MOSFET，采用小尺寸的DFN2020-8封裝。該器件具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高頻開關應用，例如同步整流、DC/DC轉換器、負載開關以及便攜式電子設備中的電源管理電路。其出色的電氣性能使其成為高效能設計的理想選擇。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：4.5A
導通電阻（典型值）：7mΩ
柵極電荷：16nC
工作結溫范圍：-55℃至+150℃
封裝形式：DFN2020-8
SI2301CDS是一款高性能的MOSFET器件，具有以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），在4.5V Vgs時僅為7mΩ，能夠有效降低傳導損耗。
2. 低柵極電荷（Qg）為16nC，適合高頻開關應用，減少開關損耗。
3. DFN2020-8封裝體積小巧，節(jié)省PCB空間，同時具備良好的熱性能。
4. 符合RoHS標準，環(huán)保且無鉛。
5. 提供卓越的可靠性和穩(wěn)定性，適用于要求嚴格的工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中。
SI2301CDS廣泛應用于多種領域，包括但不限于：
1. 同步整流電路中的主開關或續(xù)流二極管替代方案。
2. 高效DC/DC轉換器，特別是降壓拓撲結構。
3. 負載開關及電池保護電路。
4. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊。
5. 便攜式設備如智能手機、平板電腦和平板電視的電源部分。
SI2302DS, SI2303DS
