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SI2302 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:15:10 查看 閱讀�42

SI2302是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�。該器件采用DFN1010-8(UJN)封�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種功率管理�(yīng)用。其小尺寸封裝使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�2.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):55mΩ(典型值,在Vgs=4.5V�(shí)�
  總耗散功率�750mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

SI2302具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率。此外,它還具備快速開�(guān)能力,能夠在高頻�(yīng)用中提供出色的性能。其小型DFN封裝�(shè)�(jì)能夠節(jié)省PCB空間,并且符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
  由于其低電荷特性和低柵極電�,SI2302在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色,同�(shí)具有良好的熱�(wěn)定性和可靠��

�(yīng)�

SI2302廣泛�(yīng)用于便攜式設(shè)�、消�(fèi)電子、通信�(shè)備等�(lǐng)�。具體應(yīng)用包括負(fù)載開�(guān)、DC/DC�(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及背光驅(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其高效能和緊湊封裝特點(diǎn)使其成為需要高性能和小體積解決方案的理想選擇�

替代型號(hào)

SI2304DS, SI2306DS

si2302推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2302資料 更多>

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  • SI2302
  • 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFE...
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si2302參數(shù)

  • 制造商Micro Commercial Components (MCC)
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓20 V
  • �/源擊穿電�+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流3 A
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-23-3
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�11 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1250 mW
  • 上升�(shí)�11 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�34 ns