SI2302是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�。該器件采用DFN1010-8(UJN)封�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種功率管理�(yīng)用。其小尺寸封裝使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):55mΩ(典型值,在Vgs=4.5V�(shí)�
總耗散功率�750mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
SI2302具有非常低的�(dǎo)通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率。此外,它還具備快速開�(guān)能力,能夠在高頻�(yīng)用中提供出色的性能。其小型DFN封裝�(shè)�(jì)能夠節(jié)省PCB空間,并且符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
由于其低電荷特性和低柵極電�,SI2302在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色,同�(shí)具有良好的熱�(wěn)定性和可靠��
SI2302廣泛�(yīng)用于便攜式設(shè)�、消�(fèi)電子、通信�(shè)備等�(lǐng)�。具體應(yīng)用包括負(fù)載開�(guān)、DC/DC�(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及背光驅(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。其高效能和緊湊封裝特點(diǎn)使其成為需要高性能和小體積解決方案的理想選擇�
SI2304DS, SI2306DS