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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 13:13:27 查看 閱讀�17

SI2302ADS-T1 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET,采用微� DPAK(TO-252)封裝形�。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理應用,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)和電機驅(qū)動等場景�
  SI2302ADS-T1 的設(shè)計使其能夠在高頻條件下高效運�,并具備出色的熱性能,從而提高了系統(tǒng)的整體效率和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�7.4A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�19nC
  總功耗:65W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SI2302ADS-T1 提供了非常低的導通電� Rds(on),這使得它在高電流應用中表�(xiàn)出極高的效率。同�,其快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,適合高頻開�(guān)電源的設(shè)計需��
  此外,該器件采用了先進的工藝制�,確保了卓越的熱�(wěn)定性和可靠性。其堅固耐用的設(shè)計能夠承受較高的�(jié)�,適應各種惡劣的工作�(huán)境�
  DPAK 封裝形式不僅提供了良好的散熱性能,還便于 PCB 布局和安�,非常適合對空間和熱管理有嚴格要求的應用場景�

應用

� MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池保護電路
  4. 電機�(qū)動控�
  5. 負載開關(guān)
  6. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的功率分�
  由于其低導通電阻和高溫性能,SI2302ADS-T1 特別適合需要高效率和高可靠性的工業(yè)和消費類電子應用�

替代型號

SI2301DS-T1
  IRF7832
  AO3402

si2302ads-t1推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
  • 詢價

si2302ads-t1資料 更多>

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si2302ads-t1參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.6A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 50µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)