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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 13:36:40 查看 閱讀�23

SI2303CDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用微型 TSOT23-6 封裝,適合在需要高效開�(guān)和低功耗的�(yīng)用中使用。其�(yōu)異的 Rds(on) 特性和較低的柵極電荷使其成為便攜式�(shè)�、電源管理電路以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用的理想選擇�
  SI2303CDS 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于提供低導(dǎo)通電阻和高能�,同�(shí)保持緊湊的封裝尺寸以適應(yīng)空間受限的設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,� Vgs=4.5V �(shí)�
  總柵極電荷:4.9nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:TSOT23-6

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率傳輸和最小化的功��
  2. 高能效設(shè)�(jì)使得該器件非常適合電池供電的便攜式設(shè)��
  3. 小型 TSOT23-6 封裝節(jié)省了 PCB 空間,簡(jiǎn)化了布局�(shè)�(jì)�
  4. 快速開�(guān)能力,得益于較低的柵極電�,減少了開關(guān)損��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適用于多種�(huán)境條件下的應(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)��

�(yīng)�

1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�(yīng)用�
  2. 便攜式電子產(chǎn)品的電源管理�
  3. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流��
  4. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高效開關(guān)元件�
  5. 電池供電�(shè)備中的電源切��
  6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和保�(hù)電路中的開關(guān)元件�

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2304DS, BSS138

si2303cds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2303cds-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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si2303cds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫歐 @ 1.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds155pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2303CDS-T1-GE3TR