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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2306CDS-T1-GE3

SI2306CDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 12:31:53 查看 閱讀�11

SI2306CDS 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET,采用小型化� TSOT23-3 封裝。該器件廣泛應用于需要低導通電阻和快速開關特性的場景�。其工作電壓范圍� 30V,能夠滿足多種電源管理應用需�,例如負載開�、DC/DC 轉換�、電池供電設備以及便攜式電子設備��
  SI2306CDS 的設計旨在提供卓越的效率與熱性能表現(xiàn),同時保持較小的封裝尺寸,非常適合對空間有嚴格限制的設計�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流(@25℃)�1.7A
  導通電阻(Rds(on)):95mΩ(典型�,@Vgs=4.5V�
  柵極電荷�3.8nC(典型值)
  輸入電容�160pF(典型值)
  總功耗:300mW
  工作結溫范圍�-55� � +150�

特�

1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關能力使得它適合高頻 DC/DC 轉換應用�
  3. 小型 TSOT23-3 封裝節(jié)省了 PCB 空間,特別適合緊湊型設計�
  4. 高雪崩能力和�(wěn)健的電氣性能使其能夠在嚴苛條件下�(wěn)定運行�
  5. 支持高達 150� 的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境中的可靠��

應用

1. 開關電源� DC/DC 轉換器中的開關元��
  2. 手機、平板電腦和其他便攜式設備中的負載開關�
  3. 電池保護電路中的關鍵組件�
  4. 各類消費類電子產品中的信號切換或功率調節(jié)�
  5. 電機驅動� LED 驅動中的功率控制單元�

替代型號

SI2302DS, BSS138, SI2305DS

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