SI2306DS-T1 是一款來(lái)� Vishay � N 沃特功率 MOSFET,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器、便攜式�(shè)備的同步整流以及電池供電�(yīng)��
其封裝形式為 DSOP-8,在緊湊�(shè)�(jì)的同�(shí)保證了高效的散熱性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷�19nC
總電容:485pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
SI2306DS-T1 使用了先�(jìn)� TrenchFET 工藝,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�。它具備非常低的 Rds(on),從而減少在高電流下的功�。此外,該器件還支持快速開(kāi)�(guān)操作,可以滿足高頻工作的需��
同時(shí),其�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)使其能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定�,并且提供出色的熱性能以應(yīng)�(duì)大功率應(yīng)用場(chǎng)景�
由于其出色的電氣性能和可靠�,SI2306DS-T1 成為許多高效能電源管理系�(tǒng)的理想選��
該器件適用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 同步整流電路
4. 筆記本電腦及平板電腦中的電源管理
5. 游戲�(jī)和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源解決方案
6. 多種工業(yè)控制和通信�(shè)備中的負(fù)載切�
SI2309DS-T1, SI2310DS-T1