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SI2318CDS-T1-BE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 9:45:54 查看 閱讀：35

SI2318CDS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用小型化的SOT-23封裝形式，廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的便攜式電子設(shè)備中。其設(shè)計(jì)旨在提供較低的導(dǎo)通電阻以提高系統(tǒng)性能，并具備出色的開關(guān)特性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：0.65A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1Ω（典型值，在Vgs=4.5V時(shí)）
　　柵極閾值電壓：1.5V~2.5V
　　總功耗：370mW
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃~150℃

特性

SI2318CDS具有非常低的導(dǎo)通電阻，這使其在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠減少傳導(dǎo)損耗，從而提升效率。
　　此外，它支持快速開關(guān)操作并具備較低的輸入電容，有助于降低開關(guān)損耗。
　　其小型SOT-23封裝非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境，例如手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品。
　　由于采用了 Vishay 的先進(jìn)制造工藝，該器件還具備卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合長時(shí)間運(yùn)行的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

該MOSFET主要適用于各種低功率開關(guān)應(yīng)用，包括負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及便攜式電子設(shè)備中的電源管理模塊。
　　其小型化和高效能特點(diǎn)使其成為移動(dòng)通信設(shè)備的理想選擇，例如智能手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)和可穿戴設(shè)備。
　　此外，它也可以用于USB接口保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制以及其他需要精確電流控制的場合。

替代型號(hào)

SI2306DS, SI2308DS, BSS138

si2318cds-t1-be3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2318cds-t1-be3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量854現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥3.90000剪切帶（CT）3,000 : ￥0.86847卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.3A（Ta），5.6A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）42 毫歐 @ 4.3A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）9 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）340 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.25W（Ta），2.1W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3