SI2318CDS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用小型化的SOT-23封裝形式,廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的便攜式電子設(shè)備中。其設(shè)計(jì)旨在提供較低的導(dǎo)通電阻以提高系統(tǒng)性能,并具備出色的開關(guān)特性。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:0.65A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1Ω(典型值,在Vgs=4.5V時(shí))
柵極閾值電壓:1.5V~2.5V
總功耗:370mW
工作結(jié)溫范圍:-55℃~150℃
SI2318CDS具有非常低的導(dǎo)通電阻,這使其在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠減少傳導(dǎo)損耗,從而提升效率。
此外,它支持快速開關(guān)操作并具備較低的輸入電容,有助于降低開關(guān)損耗。
其小型SOT-23封裝非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境,例如手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品。
由于采用了 Vishay 的先進(jìn)制造工藝,該器件還具備卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合長時(shí)間運(yùn)行的應(yīng)用場景。
該MOSFET主要適用于各種低功率開關(guān)應(yīng)用,包括負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及便攜式電子設(shè)備中的電源管理模塊。
其小型化和高效能特點(diǎn)使其成為移動(dòng)通信設(shè)備的理想選擇,例如智能手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)和可穿戴設(shè)備。
此外,它也可以用于USB接口保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制以及其他需要精確電流控制的場合。
SI2306DS, SI2308DS, BSS138