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SI2318CDS-T1-BE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 9:45:54 查看 閱讀:35

SI2318CDS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管。該器件采用小型化的SOT-23封裝形式,廣泛應(yīng)用于需要高效率和低功耗的便攜式電子設(shè)備中。其設(shè)計(jì)旨在提供較低的導(dǎo)通電阻以提高系統(tǒng)性能,并具備出色的開關(guān)特性。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:0.65A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1Ω(典型值,在Vgs=4.5V時(shí))
  柵極閾值電壓:1.5V~2.5V
  總功耗:370mW
  工作結(jié)溫范圍:-55℃~150℃

特性

SI2318CDS具有非常低的導(dǎo)通電阻,這使其在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠減少傳導(dǎo)損耗,從而提升效率。
  此外,它支持快速開關(guān)操作并具備較低的輸入電容,有助于降低開關(guān)損耗。
  其小型SOT-23封裝非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境,例如手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品。
  由于采用了 Vishay 的先進(jìn)制造工藝,該器件還具備卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合長時(shí)間運(yùn)行的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

該MOSFET主要適用于各種低功率開關(guān)應(yīng)用,包括負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及便攜式電子設(shè)備中的電源管理模塊。
  其小型化和高效能特點(diǎn)使其成為移動(dòng)通信設(shè)備的理想選擇,例如智能手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)和可穿戴設(shè)備。
  此外,它也可以用于USB接口保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制以及其他需要精確電流控制的場合。

替代型號(hào)

SI2306DS, SI2308DS, BSS138

si2318cds-t1-be3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2318cds-t1-be3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量854現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥3.90000剪切帶(CT)3,000 : ¥0.86847卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.3A(Ta),5.6A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)42 毫歐 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta),2.1W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3