SI2319DS是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET功率晶體�。該器件采用SO-8封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適合用于各種高效能電源管理應(yīng)用中,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機�(qū)動等場景�
這款MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的Rds(on)性能,在較低的柵極驅(qū)動電壓下依然能夠保持出色的效率表�(xiàn),同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�75mΩ (在Vgs=4.5V�)
柵極電荷(Qg)�11nC
總功�(Pd)�1.1W (在θja=60�/W�)
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至175�
SI2319DS是一款高度優(yōu)化的功率MOSFET,具備以下顯著特點:
1. 低導(dǎo)通電阻:該器件的Rds(on)在典型值為75mΩ(當(dāng)Vgs=4.5V時),使得它非常適合低壓�(huán)境下的高效能�(yīng)��
2. 高開�(guān)速度:由于其較小的柵極電荷(Qg=11nC�,可以實�(xiàn)快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
3. 耐熱性優(yōu)異:其最高結(jié)溫可�175�,適�(yīng)�(yán)苛的工作條件�
4. 小型封裝:采用SO-8封裝,既節(jié)省空間又便于散熱�(shè)計�
5. �(wěn)定可靠:�(jīng)過嚴(yán)格測�,保證在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)性能�(wěn)��
SI2319DS廣泛�(yīng)用于各類電子�(shè)備中的功率管理與控制場合,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和降壓轉(zhuǎn)��
2. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
3. 電池供電系統(tǒng)中的保護電路�
4. 小型電機�(qū)動和控制電路�
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)動及LED照明控制�
SI2303DS, SI2306DS