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SI2323CDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 22:43:55 查看 閱讀:19

SI2323CDS 是一款來自 Vishay 的 N 灃道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (N-MOSFET),采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于多種功率管理應(yīng)用。該器件以其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力著稱,適合于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用。
  該型號(hào)的后綴 -T1-GE3 表示其符合 Vishay 內(nèi)部的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),并具有特定的封裝和測(cè)試條件,確保了產(chǎn)品的高可靠性和一致性。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:2.4A
  導(dǎo)通電阻(典型值):150mΩ
  柵極電荷:1.7nC
  總電容(輸入電容):13pF
  功耗:0.6W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

SI2323CDS 具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。同時(shí),其 SOT-23 封裝形式使得它在空間受限的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
  1. 快速開關(guān)性能,減少能量損耗。
  2. 低寄生電感,提升整體系統(tǒng)效率。
  3. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境需求。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無(wú)鉛焊接工藝。
  這些特性使 SI2323CDS 成為便攜式設(shè)備、電池供電產(chǎn)品和高效能轉(zhuǎn)換電路的理想選擇。

應(yīng)用

SI2323CDS 廣泛應(yīng)用于需要高效功率管理的場(chǎng)景,具體包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
  3. 負(fù)載開關(guān)及保護(hù)電路。
  4. 電池管理系統(tǒng)中的功率路徑控制。
  5. LED 驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  由于其緊湊的封裝和高效性能,該器件特別適合移動(dòng)設(shè)備、筆記本電腦適配器和其他便攜式電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

SI2306DS, BSS138, 2N7002

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si2323cds-t1-ge3資料 更多>

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  • 品牌
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si2323cds-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫歐 @ 4.6A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1090pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2323CDS-T1-GE3TR