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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 19:00:42 查看 閱讀�26

Si2331DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)的應(yīng)用場�。Si2331DS-T1-GE3 具有出色的電氣特性和熱性能,能夠滿足便攜式�(shè)�、電源管理以及信號切換等�(yīng)用需求�
  作為 Vishay Siliconix 系列的一部分,該芯片以其�(yōu)異的 Rds(on) 特性著�,同時具備較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了功率�(zhuǎn)換中的損耗表�(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.6A
  柵源開啟電壓�2.5V
  �(dǎo)通電阻:140mΩ(在 Vgs=4.5V 時)
  柵極電荷�3nC
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

Si2331DS-T1-GE3 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 高效的低�(dǎo)通電阻設(shè)�,減少了傳導(dǎo)損��
  2. 極小的封裝尺寸(SOT-23),非常適合空間受限的設(shè)��
  3. 快速開�(guān)速度,得益于其低柵極電荷�
  4. 支持較寬的工作溫度范圍,確保在各種環(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. 可靠性高,適合長期運(yùn)行的工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用�

�(yīng)�

該型號廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器及負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器�
  3. 手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備的電池管理�
  4. 電機(jī)�(qū)動與控制電路�
  5. 各種保護(hù)電路,例如過流保�(hù)或短路保�(hù)�
  6. 信號切換和負(fù)載切換功能�
  由于其小巧的外形和高效的性能,Si2331DS-T1-GE3 成為許多緊湊型設(shè)計的理想選擇�

替代型號

Si2301DS, Si2306DS, Si2319DS

si2331ds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si2331ds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C48 毫歐 @ 3.6A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds780pF @ 6V
  • 功率 - 最�710mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)