Si2331DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的 SOT-23 封裝,適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)的應(yīng)用場�。Si2331DS-T1-GE3 具有出色的電氣特性和熱性能,能夠滿足便攜式�(shè)�、電源管理以及信號切換等�(yīng)用需求�
作為 Vishay Siliconix 系列的一部分,該芯片以其�(yōu)異的 Rds(on) 特性著�,同時具備較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了功率�(zhuǎn)換中的損耗表�(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�1.6A
柵源開啟電壓�2.5V
�(dǎo)通電阻:140mΩ(在 Vgs=4.5V 時)
柵極電荷�3nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
Si2331DS-T1-GE3 的主要特�(diǎn)包括�
1. 高效的低�(dǎo)通電阻設(shè)�,減少了傳導(dǎo)損��
2. 極小的封裝尺寸(SOT-23),非常適合空間受限的設(shè)��
3. 快速開�(guān)速度,得益于其低柵極電荷�
4. 支持較寬的工作溫度范圍,確保在各種環(huán)境下的穩(wěn)定��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 可靠性高,適合長期運(yùn)行的工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用�
該型號廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器及負(fù)載點(diǎn)(POL)調(diào)節(jié)器�
3. 手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備的電池管理�
4. 電機(jī)�(qū)動與控制電路�
5. 各種保護(hù)電路,例如過流保�(hù)或短路保�(hù)�
6. 信號切換和負(fù)載切換功能�
由于其小巧的外形和高效的性能,Si2331DS-T1-GE3 成為許多緊湊型設(shè)計的理想選擇�
Si2301DS, Si2306DS, Si2319DS