時間：2025/5/30 14:20:40
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SI2369DS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用TrenchFET? Gen III技術制造，具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力。它適用于多種開關應用，例如DC-DC轉換器、負載開關、電機控制等。封裝形式為SC-70（SOT-723），適合空間受限的應用場景。
這款MOSFET在低電壓應用中表現(xiàn)出色，能夠顯著降低功耗并提高效率。
最大漏源電壓：20V
連續(xù)漏極電流：1.8A
導通電阻（典型值）：65mΩ
柵極電荷（典型值）：4.5nC
總電容（輸入電容）：95pF
工作溫度范圍：-55℃至150℃
SI2369DS采用了先進的TrenchFET工藝，其主要特點包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于減少功率損耗。
2. 小巧的SC-70封裝尺寸，非常適合便攜式設備和其他對空間敏感的設計。
3. 快速開關性能，得益于較小的柵極電荷，可提高系統(tǒng)效率。
4. 高雪崩能量能力，確保在異常條件下也能可靠運行。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛設計。
該MOSFET廣泛應用于各種電子領域：
1. 移動設備中的負載開關和電源管理。
2. DC-DC轉換器，用于筆記本電腦、平板電腦及其他消費類電子產(chǎn)品。
3. LED驅動電路，提供高效穩(wěn)定的電流輸出。
4. 開關模式電源（SMPS）及多相控制器中的同步整流功能。
5. 各種保護電路，如過流保護和短路保護。
SI2305DS, SI2319DS, BSS138
