SI2369DS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技術制�,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力。它適用于多種開關應�,例如DC-DC轉換�、負載開關、電機控制等。封裝形式為SC-70(SOT-723),適合空間受限的應用場��
這款MOSFET在低電壓應用中表�(xiàn)出色,能夠顯著降低功耗并提高效率�
最大漏源電壓:20V
連續(xù)漏極電流�1.8A
導通電阻(典型值)�65mΩ
柵極電荷(典型值)�4.5nC
總電容(輸入電容):95pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
SI2369DS采用了先進的TrenchFET工藝,其主要特點包括�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損��
2. 小巧的SC-70封裝尺寸,非常適合便攜式設備和其他對空間敏感的設計�
3. 快速開關性能,得益于較小的柵極電荷,可提高系�(tǒng)效率�
4. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下也能可靠運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
該MOSFET廣泛應用于各種電子領域:
1. 移動設備中的負載開關和電源管��
2. DC-DC轉換器,用于筆記本電腦、平板電腦及其他消費類電子產(chǎn)��
3. LED驅動電路,提供高效穩(wěn)定的電流輸出�
4. 開關模式電源(SMPS)及多相控制器中的同步整流功��
5. 各種保護電路,如過流保護和短路保護�
SI2305DS, SI2319DS, BSS138