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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2369DS-T1-E3

SI2369DS-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:20:40 查看 閱讀�14

SI2369DS是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技術制�,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力。它適用于多種開關應�,例如DC-DC轉換�、負載開關、電機控制等。封裝形式為SC-70(SOT-723),適合空間受限的應用場��
  這款MOSFET在低電壓應用中表�(xiàn)出色,能夠顯著降低功耗并提高效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  導通電阻(典型值)�65mΩ
  柵極電荷(典型值)�4.5nC
  總電容(輸入電容):95pF
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

SI2369DS采用了先進的TrenchFET工藝,其主要特點包括�
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損��
  2. 小巧的SC-70封裝尺寸,非常適合便攜式設備和其他對空間敏感的設計�
  3. 快速開關性能,得益于較小的柵極電荷,可提高系�(tǒng)效率�
  4. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下也能可靠運行�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��

應用

該MOSFET廣泛應用于各種電子領域:
  1. 移動設備中的負載開關和電源管��
  2. DC-DC轉換器,用于筆記本電腦、平板電腦及其他消費類電子產(chǎn)��
  3. LED驅動電路,提供高效穩(wěn)定的電流輸出�
  4. 開關模式電源(SMPS)及多相控制器中的同步整流功��
  5. 各種保護電路,如過流保護和短路保護�

替代型號

SI2305DS, SI2319DS, BSS138

si2369ds-t1-e3推薦供應� 更多>

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