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SI2371EDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 22:01:40 查看 閱讀:11

SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種高效能的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其封裝形式為 SC-74A(SOT-665),非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
  該 MOSFET 的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的電氣性能和熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效的能量轉(zhuǎn)換,并提供出色的電流承載能力。此外,由于其小型化封裝,它成為消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào):SI2371EDS-T1-GE3
  品牌:Vishay
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  VDS(漏源極擊穿電壓):30 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值,@VGS=4.5V):8 mΩ
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值,@VGS=10V):5.5 mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):9 A
  f(最大工作頻率):5 MHz
  封裝:SC-74A(SOT-665)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

SI2371EDS-T1-GE3 提供了多種優(yōu)越的特性以適應(yīng)現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)需求:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 可有效減少導(dǎo)通損耗,從而提高整體效率。
  2. 高速開關(guān)性能支持高頻應(yīng)用,降低了系統(tǒng)的磁性元件體積與成本。
  3. 小型化的 SC-74A 封裝使其特別適合于對(duì) PCB 空間要求嚴(yán)格的場(chǎng)合。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
  5. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性,可長(zhǎng)時(shí)間在高溫環(huán)境下運(yùn)行。
  6. 在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能,適用于各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies, SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)。
  3. 電池保護(hù)電路,例如鋰電池管理系統(tǒng)。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的低端開關(guān)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的信號(hào)隔離和功率傳輸控制。
  7. 計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通信設(shè)備中的高效功率管理模塊。
  8. 各種便攜式設(shè)備的功率級(jí)切換和管理。

替代型號(hào)

SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS

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si2371eds-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ¥3.42000剪切帶(CT)3,000 : ¥0.75127卷帶(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.8A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)45 毫歐 @ 3.7A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta),1.7W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3