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SI2371EDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/5 22:01:40 查看 閱讀：11

SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種高效能的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其封裝形式為 SC-74A（SOT-665），非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
　　該 MOSFET 的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的電氣性能和熱性能，能夠在高頻工作條件下保持高效的能量轉(zhuǎn)換，并提供出色的電流承載能力。此外，由于其小型化封裝，它成為消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào)：SI2371EDS-T1-GE3
　　品牌：Vishay
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　VDS（漏源極擊穿電壓）：30 V
　　RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值，@VGS=4.5V）：8 mΩ
　　RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值，@VGS=10V）：5.5 mΩ
　　ID（連續(xù)漏極電流）：9 A
　　f（最大工作頻率）：5 MHz
　　封裝：SC-74A（SOT-665）
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C

特性

SI2371EDS-T1-GE3 提供了多種優(yōu)越的特性以適應(yīng)現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)需求：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 可有效減少導(dǎo)通損耗，從而提高整體效率。
　　2. 高速開關(guān)性能支持高頻應(yīng)用，降低了系統(tǒng)的磁性元件體積與成本。
　　3. 小型化的 SC-74A 封裝使其特別適合于對(duì) PCB 空間要求嚴(yán)格的場(chǎng)合。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
　　5. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化，具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性，可長(zhǎng)時(shí)間在高溫環(huán)境下運(yùn)行。
　　6. 在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能，適用于各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（Switching Power Supplies, SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)。
　　3. 電池保護(hù)電路，例如鋰電池管理系統(tǒng)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的低端開關(guān)。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的信號(hào)隔離和功率傳輸控制。
　　7. 計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通信設(shè)備中的高效功率管理模塊。
　　8. 各種便攜式設(shè)備的功率級(jí)切換和管理。

替代型號(hào)

SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS

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si2371eds-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥3.42000剪切帶（CT）3,000 : ￥0.75127卷帶（TR）
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）30 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.8A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）45 毫歐 @ 3.7A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）35 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±12V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）-
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1W（Ta），1.7W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3