SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于各種高效能的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其封裝形式為 SC-74A(SOT-665),非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
該 MOSFET 的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的電氣性能和熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效的能量轉(zhuǎn)換,并提供出色的電流承載能力。此外,由于其小型化封裝,它成為消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇。
型號(hào):SI2371EDS-T1-GE3
品牌:Vishay
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):30 V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值,@VGS=4.5V):8 mΩ
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值,@VGS=10V):5.5 mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):9 A
f(最大工作頻率):5 MHz
封裝:SC-74A(SOT-665)
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
SI2371EDS-T1-GE3 提供了多種優(yōu)越的特性以適應(yīng)現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)需求:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 可有效減少導(dǎo)通損耗,從而提高整體效率。
2. 高速開關(guān)性能支持高頻應(yīng)用,降低了系統(tǒng)的磁性元件體積與成本。
3. 小型化的 SC-74A 封裝使其特別適合于對(duì) PCB 空間要求嚴(yán)格的場(chǎng)合。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
5. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性,可長(zhǎng)時(shí)間在高溫環(huán)境下運(yùn)行。
6. 在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能,適用于各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies, SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)。
3. 電池保護(hù)電路,例如鋰電池管理系統(tǒng)。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的低端開關(guān)。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的信號(hào)隔離和功率傳輸控制。
7. 計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通信設(shè)備中的高效功率管理模塊。
8. 各種便攜式設(shè)備的功率級(jí)切換和管理。
SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS