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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 0:44:34 查看 閱讀�26

SI3456CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于高頻和高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  其封裝形式為 Hot FET? 封裝(TSSOP),能夠有效提高散熱性能和電氣連接可靠�,同時支持表面貼裝工�,便于自動化生產(chǎn)。這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、負載點 (POL) �(zhuǎn)換、電機驅(qū)�、LED �(qū)動以及電池供電設(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

型號:SI3456CDV-T1-GE3
  類型:N 溝道 MOSFET
  VDS(漏源極擊穿電壓):30 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型� @ 4.5V):2.7 mΩ
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型� @ 10V):2.2 mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):89 A
  Qg(總柵極電荷):31 nC
  EAS(雪崩能量)�0.27 J
  封裝:TSSOP(Hot FET?�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),確保了更低的傳�(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
  2. 出色的開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合,例如硬開�(guān)和軟開關(guān)拓撲�(jié)�(gòu)�
  3. 使用 Vishay � TrenchFET Gen III 技�(shù),實�(xiàn)了更高的單位面積電流承載能力�
  4. 熱增強型封裝�(shè)計,有助于更好地管理器件在高功率運行時的溫度�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合全球范圍�(nèi)的電子設(shè)備使用�
  6. 支持大電流操�,適用于高功率密度的�(shè)計需求�
  7. 提供良好的雪崩耐用�,增強了系統(tǒng)的魯棒性和可靠��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流應(yīng)用�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 負載� (POL) �(zhuǎn)換器中的高效功率傳輸�
  4. 工業(yè)與消費類電機�(qū)動電��
  5. LED 照明�(qū)動器中的恒流控制�
  6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑控��
  7. 各種需要高性能 MOSFET 的場�,如 UPS 和通信電源��

替代型號

SI3457CDV-T1-GE3
  IRL3803PBF
  AO3400A

si3456cdv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3456cdv-t1-ge3�(chǎn)�

si3456cdv-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C34 毫歐 @ 6.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds460pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)