SI3456CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于高頻和高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
其封裝形式為 Hot FET? 封裝(TSSOP),能夠有效提高散熱性能和電氣連接可靠�,同時支持表面貼裝工�,便于自動化生產(chǎn)。這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、負載點 (POL) �(zhuǎn)換、電機驅(qū)�、LED �(qū)動以及電池供電設(shè)備等�(lǐng)��
型號:SI3456CDV-T1-GE3
類型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):30 V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型� @ 4.5V):2.7 mΩ
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型� @ 10V):2.2 mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):89 A
Qg(總柵極電荷):31 nC
EAS(雪崩能量)�0.27 J
封裝:TSSOP(Hot FET?�
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),確保了更低的傳�(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
2. 出色的開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合,例如硬開�(guān)和軟開關(guān)拓撲�(jié)�(gòu)�
3. 使用 Vishay � TrenchFET Gen III 技�(shù),實�(xiàn)了更高的單位面積電流承載能力�
4. 熱增強型封裝�(shè)計,有助于更好地管理器件在高功率運行時的溫度�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合全球范圍�(nèi)的電子設(shè)備使用�
6. 支持大電流操�,適用于高功率密度的�(shè)計需求�
7. 提供良好的雪崩耐用�,增強了系統(tǒng)的魯棒性和可靠��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流應(yīng)用�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
3. 負載� (POL) �(zhuǎn)換器中的高效功率傳輸�
4. 工業(yè)與消費類電機�(qū)動電��
5. LED 照明�(qū)動器中的恒流控制�
6. 電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑控��
7. 各種需要高性能 MOSFET 的場�,如 UPS 和通信電源��
SI3457CDV-T1-GE3
IRL3803PBF
AO3400A