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SI4401DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 12:24:44 查看 閱讀:18

SI4401DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅實(shí)驗(yàn)室)推出的高性能 ISM 頻段收發(fā)器芯片,工作頻率范圍為 150 MHz 至 930 MHz。該芯片適用于各種無線通信應(yīng)用,例如家庭自動化、工業(yè)控制、遙測和遠(yuǎn)程監(jiān)控等。其低功耗設(shè)計(jì)使其非常適合電池供電設(shè)備,同時(shí)具備高靈敏度接收性能和強(qiáng)大的抗干擾能力。
  SI4401 提供靈活的調(diào)制模式支持,包括 FSK、OOK 和 MSK 等,能夠滿足多種無線協(xié)議的需求。芯片集成了完整的射頻前端,包括功率放大器和低噪聲放大器,從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了外部元件數(shù)量。

參數(shù)

型號:SI4401DY-T1-GE3
  品牌:Silicon Labs
  工作頻率范圍:150 MHz - 930 MHz
  最大輸出功率:+20 dBm
  接收靈敏度:-121 dBm(FSK,1.2 kbps)
  電源電壓:1.8 V - 3.6 V
  工作電流(發(fā)射,+10 dBm):27 mA
  工作電流(接收):11.6 mA
  待機(jī)電流:0.2 μA
  調(diào)制方式:FSK、OOK、MSK
  封裝形式:QFN 4x4 mm
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

SI4401DY-T1-GE3 具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 支持寬廣的頻率范圍(150 MHz 至 930 MHz),適應(yīng)不同區(qū)域和應(yīng)用需求。
  2. 提供高輸出功率(+20 dBm),確保長距離傳輸性能。
  3. 極高的接收靈敏度(可達(dá) -121 dBm),適合弱信號環(huán)境下的穩(wěn)定通信。
  4. 低功耗設(shè)計(jì)顯著延長電池壽命,特別適合便攜式或遠(yuǎn)程部署的設(shè)備。
  5. 集成 PA(功率放大器)和 LNA(低噪聲放大器),減少外圍元件需求,降低系統(tǒng)復(fù)雜性。
  6. 支持多種調(diào)制方式(FSK、OOK、MSK),提供廣泛的協(xié)議兼容性。
  7. 內(nèi)置 CRC 和數(shù)據(jù)白化功能,增強(qiáng)數(shù)據(jù)完整性和可靠性。
  8. 簡單的 SPI 接口便于與主控 MCU 連接和配置。
  9. 小型 QFN 封裝節(jié)省 PCB 空間,適合緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

SI4401DY-T1-GE3 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 家庭自動化系統(tǒng),如智能照明、溫控器和安防設(shè)備。
  2. 工業(yè)控制和監(jiān)測,包括傳感器網(wǎng)絡(luò)和遠(yuǎn)程設(shè)備管理。
  3. 智能儀表,例如水表、電表和燃?xì)獗淼臄?shù)據(jù)采集與傳輸。
  4. 醫(yī)療電子設(shè)備,如可穿戴健康監(jiān)測裝置。
  5. 遙控和遙測應(yīng)用,例如無人機(jī)、機(jī)器人和工業(yè)遙控器。
  6. 物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備,用于構(gòu)建無線連接的生態(tài)系統(tǒng)。
  由于其高靈敏度和低功耗特點(diǎn),SI4401 在電池供電的無線應(yīng)用中尤為突出。

替代型號

SI4432DY-T1-GE3
  SI4463DY-T1-GE3

si4401dy-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si4401dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.5 毫歐 @ 10.5A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs50nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)