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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4599DY-T1-GE3

SI4599DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 17:26:17 查看 閱讀�36

SI4599DY-T1-GE3 是一款基于硅技�(shù)的高效肖特基二極管,� Vishay 提供。該器件具有低正向電壓和快速恢�(fù)�(shí)間的特點(diǎn),非常適合高頻整流應(yīng)用以及需要高效率和低損耗的�(shè)�(jì)�(chǎng)�。此�,它采用� TO-252 (DPAK) 封裝形式,能夠提供良好的散熱性能和可靠��
  此型�(hào)屬于 Vishay � SIL-S 系列,主要針�(duì)汽車(chē)電子、電源轉(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他工業(yè)�(jí)�(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)��

參數(shù)

最大重�(fù)峰值反向電壓:60V
  最大直流阻斷電壓:50V
  最大平均整流輸出電流:3A
  典型正向電壓(@If=2A):0.38V
  最大正向電壓(@If=3A):0.47V
  最大反向恢�(fù)�(shí)間:35ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  熱阻(結(jié)至環(huán)境)�40°C/W
  封裝�(lèi)型:TO-252 (DPAK)
  濕度敏感等級(jí):MSL 3

特�

SI4599DY-T1-GE3 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的正向電壓降,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速恢�(fù)�(shí)間,使其適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  3. 高達(dá) 175°C 的工作溫度范�,保證了在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),滿(mǎn)足汽�(chē)�(jí)�(zhì)量要求�
  5. �(wú)鉛設(shè)�(jì),符� RoHS 和綠色標(biāo)�(zhǔn)�
  6. 良好的浪涌能�,確保在瞬態(tài)條件下也能保持可靠��
  7. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間同時(shí)便于安裝與維�(hù)�

�(yīng)�

該二極管廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中的高頻整流�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  3. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如引擎控制單元 (ECU) 和車(chē)身控制模� (BCM)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(xù)流保�(hù)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管��
  6. 太陽(yáng)能逆變器及其他新能源相�(guān)�(chǎn)��
  7. 各類(lèi)便攜式設(shè)備的充電管理電路�

替代型號(hào)

SI4582DY-T1-GE3, SI4599AL-T1-GE3, 1SS402T

si4599dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

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si4599dy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.8A�5.8A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35.5 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds640pF @ 20V
  • 功率 - 最�3W�3.1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SI4599DY-T1-GE3TR