SI4825DDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率轉換應用。其封裝形式為小外形晶體� (SOT-23) 封裝,適合于空間受限的設計環(huán)��
該器件常用于電源管理、負載開�、DC-DC 轉換器以及其他需要高效功率控制的應用場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻(典型值)�7.5mΩ
柵極電荷(典型值)�12輸入電容):290pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI4825DDY-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開關能�,適合高頻應��
3. 采用 Vishay � TrenchFET 第三代技術,�(yōu)化了性能與成本之間的平衡�
4. 小尺� SOT-23 封裝,便于在緊湊設計中使��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無��
6. 寬泛的工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下�(wěn)定運��
該器件廣泛應用于多個領�,例如:
1. 移動設備中的負載開關和電池保護電��
2. DC-DC 轉換器中的同步整流功能�
3. 電機驅動電路中的功率控制�
4. USB 充電器及便攜式電子設備的電源管理�
5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的信號隔離與功率分��
6. 高效 LED 驅動器中的開關元��
SI4828DY, SI4404DY, BSS138