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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4825DDY-T1-GE3

SI4825DDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 17:28:38 查看 閱讀�15

SI4825DDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率轉換應用。其封裝形式為小外形晶體� (SOT-23) 封裝,適合于空間受限的設計環(huán)��
  該器件常用于電源管理、負載開�、DC-DC 轉換器以及其他需要高效功率控制的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  導通電阻(典型值)�7.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�12輸入電容):290pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI4825DDY-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開關能�,適合高頻應��
  3. 采用 Vishay � TrenchFET 第三代技術,�(yōu)化了性能與成本之間的平衡�
  4. 小尺� SOT-23 封裝,便于在緊湊設計中使��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無��
  6. 寬泛的工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下�(wěn)定運��

應用

該器件廣泛應用于多個領�,例如:
  1. 移動設備中的負載開關和電池保護電��
  2. DC-DC 轉換器中的同步整流功能�
  3. 電機驅動電路中的功率控制�
  4. USB 充電器及便攜式電子設備的電源管理�
  5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的信號隔離與功率分��
  6. 高效 LED 驅動器中的開關元��

替代型號

SI4828DY, SI4404DY, BSS138

si4825ddy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4825ddy-t1-ge3資料 更多>

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si4825ddy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C14.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2550pF @ 15V
  • 功率 - 最�5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOIC(窄型)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4825DDY-T1-GE3-NDSI4825DDY-T1-GE3TR