SI4835BDY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其小型化的封裝設(shè)計(jì)使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:24A
導(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷:29nC
輸入電容:2720pF
總功耗:16W
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
封裝類型:PowerPAK? 8x8
SI4835BDY-T1 廣泛應(yīng)用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換場景中,包括但不限于:
DC-DC 轉(zhuǎn)換器
同步整流器
負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
電池保護(hù)電路
服務(wù)器和通信電源供應(yīng)
消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理模塊
SI4838DY-T1
Si4840DY-T1
IRLR7843PbF