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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4840BDY-T1-GE3

SI4840BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 21:43:27 查看 閱讀�18

SI4840BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造,具有低導通電阻和高效率的特點,適合在高頻開關應用中使用�
  其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8 (TSSOP),能夠有效提升散熱性能,同時保持較小的占板面積。該�(chǎn)品廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�32A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�97nC
  開關速度:快�
  封裝類型:Thermally Enhanced PowerPAK SO-8

特�

SI4840BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� Rds(on),可以顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能�,能夠在異常條件下提供更好的保護�
  3. 超低的輸入和輸出電容,有助于實現(xiàn)更快的開關速度�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鹵��
  5. �(yōu)化的熱性能設計,可支持更高的功率密��
  6. 緊湊的封裝尺�,節(jié)� PCB 空間�
  這些特性使� SI4840BDY-T1-GE3 成為 DC/DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池保護電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用的理想選��

應用

這款 MOSFET 主要用于以下領域�
  1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. 工業(yè)和消費類電機�(qū)動器�
  3. 電池管理與保護系�(tǒng)�
  4. 通信基礎設施中的負載開關�
  5. 便攜式電子設備的電源管理模塊�
  由于其卓越的電氣性能和可靠�,SI4840BDY-T1-GE3 在多種功率轉(zhuǎn)換和控制場景下表�(xiàn)出色�

替代型號

SI4850DPBF, IRFZ44N

si4840bdy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 詢價

si4840bdy-t1-ge3資料 更多>

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si4840bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 12.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 20V
  • 功率 - 最�6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4840BDY-T1-GE3-ND