時間：2025/5/28 21:43:27
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SI4840BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造，具有低導通電阻和高效率的特點，適合在高頻開關應用中使用。
其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8 (TSSOP)，能夠有效提升散熱性能，同時保持較小的占板面積。該產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：32A
導通電阻（典型值）：4.5mΩ
柵極電荷：97nC
開關速度：快速
封裝類型：Thermally Enhanced PowerPAK SO-8
SI4840BDY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 Rds(on)，可以顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能力，能夠在異常條件下提供更好的保護。
3. 超低的輸入和輸出電容，有助于實現(xiàn)更快的開關速度。
4. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且無鹵素。
5. 優(yōu)化的熱性能設計，可支持更高的功率密度。
6. 緊湊的封裝尺寸，節(jié)省 PCB 空間。
這些特性使得 SI4840BDY-T1-GE3 成為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池保護電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用的理想選擇。
這款 MOSFET 主要用于以下領域：
1. 開關模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. 工業(yè)和消費類電機驅(qū)動器。
3. 電池管理與保護系統(tǒng)。
4. 通信基礎設施中的負載開關。
5. 便攜式電子設備的電源管理模塊。
由于其卓越的電氣性能和可靠性，SI4840BDY-T1-GE3 在多種功率轉(zhuǎn)換和控制場景下表現(xiàn)出色。
SI4850DPBF, IRFZ44N
