SI4840BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造,具有低導通電阻和高效率的特點,適合在高頻開關應用中使用�
其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8 (TSSOP),能夠有效提升散熱性能,同時保持較小的占板面積。該�(chǎn)品廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�97nC
開關速度:快�
封裝類型:Thermally Enhanced PowerPAK SO-8
SI4840BDY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� Rds(on),可以顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能�,能夠在異常條件下提供更好的保護�
3. 超低的輸入和輸出電容,有助于實現(xiàn)更快的開關速度�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鹵��
5. �(yōu)化的熱性能設計,可支持更高的功率密��
6. 緊湊的封裝尺�,節(jié)� PCB 空間�
這些特性使� SI4840BDY-T1-GE3 成為 DC/DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池保護電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用的理想選��
這款 MOSFET 主要用于以下領域�
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. 工業(yè)和消費類電機�(qū)動器�
3. 電池管理與保護系�(tǒng)�
4. 通信基礎設施中的負載開關�
5. 便攜式電子設備的電源管理模塊�
由于其卓越的電氣性能和可靠�,SI4840BDY-T1-GE3 在多種功率轉(zhuǎn)換和控制場景下表�(xiàn)出色�
SI4850DPBF, IRFZ44N