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SI4842BDY-T1-E3 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 21:54:34 查看 閱讀:15

SI4842BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技術制造。這款器件具有低導通電阻 (Rds(on)) 和高效率的特點,適用于高頻開關應用和電源管理領域。其優(yōu)化的設計使其在小封裝中提供了出色的性能表現,廣泛用于消費電子、工業(yè)控制和通信設備中。

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:52A
  導通電阻(典型值):1.0mΩ
  柵極電荷:79nC
  開關頻率:支持高達 MHz 級別
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:TO-263-7

特性

SI4842BDY-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),能夠顯著降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,可滿足大功率應用的需求。
  3. 采用 Vishay 的 TrenchFET 技術,具備更高的單位面積功率密度。
  4. 超低柵極電荷和輸出電荷設計,適合高頻開關應用。
  5. 支持惡劣環(huán)境下的工作,具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛工藝生產。
  7. 寬泛的工作溫度范圍,適應各種嚴苛使用條件。

應用

該芯片廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS) 中的主開關管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉換器中的功率級 MOSFET。
  3. 電機驅動和逆變器電路。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關。
  5. 工業(yè)自動化設備中的電源模塊。
  6. 高效能源轉換系統(tǒng),例如太陽能微逆變器。
  7. 快速充電適配器和 USB-PD 控制器配套使用。

替代型號

SI4850DP, IRFB4110TRPBF, FDP5500NL

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si4842bdy-t1-e3參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C28A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3650pF @ 15V
  • 功率 - 最大6.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)