時間：2025/6/5 21:54:34
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SI4842BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產的 N 溝道功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技術制造。這款器件具有低導通電阻 (Rds(on)) 和高效率的特點，適用于高頻開關應用和電源管理領域。其優(yōu)化的設計使其在小封裝中提供了出色的性能表現，廣泛用于消費電子、工業(yè)控制和通信設備中。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：52A
導通電阻（典型值）：1.0mΩ
柵極電荷：79nC
開關頻率：支持高達 MHz 級別
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：TO-263-7
SI4842BDY-T1-E3 具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，能夠顯著降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力，可滿足大功率應用的需求。
3. 采用 Vishay 的 TrenchFET 技術，具備更高的單位面積功率密度。
4. 超低柵極電荷和輸出電荷設計，適合高頻開關應用。
5. 支持惡劣環(huán)境下的工作，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛工藝生產。
7. 寬泛的工作溫度范圍，適應各種嚴苛使用條件。
該芯片廣泛應用于以下領域：
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的主開關管或同步整流管。
2. DC-DC 轉換器中的功率級 MOSFET。
3. 電機驅動和逆變器電路。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關。
5. 工業(yè)自動化設備中的電源模塊。
6. 高效能源轉換系統(tǒng)，例如太陽能微逆變器。
7. 快速充電適配器和 USB-PD 控制器配套使用。
SI4850DP, IRFB4110TRPBF, FDP5500NL
