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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:48:17 查看 閱讀�21

SI4890BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有超低導(dǎo)通電阻和極佳的開�(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式� ThinSOT25 (SC-79),有助于節(jié)省電路板空間并提高功率密��
  該型�(hào)特別適合�(duì)效率和熱性能有較高要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
  柵極電荷�1.9nC(典型值)
  輸入電容�350pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � 150°C
  封裝類型:ThinSOT25 (SC-79)

特�

SI4890BDY-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其超低�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),這使得它在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,該器件還具有以下�(yōu)�(shì)�
  - 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  - 較小的封裝尺寸(ThinSOT25)使其非常適合空間受限的�(yīng)��
  - 高速開�(guān)能力使其適用于同步整流和降壓/升壓�(zhuǎn)換器�
  - 具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種消費(fèi)類電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,包括但不限于:
  - 手機(jī)和平板電腦充電器中的同步整流電路�
  - 筆記本適配器和小� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  - USB-PD 控制器的�(fù)載開�(guān)�
  - 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)�
  - LED �(qū)�(dòng)器和便攜式設(shè)備的電源管理模塊�
  由于其出色的效率表現(xiàn),SI4890BDY-T1-GE3 成為眾多工程師設(shè)�(jì)高效電源解決方案的理想選��

替代型號(hào)

SI4891DY, SI4432DY, BSS138

si4890bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4890bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.6V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1535pF @ 15V
  • 功率 - 最�5.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4890BDY-T1-GE3TR