SI4890BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有超低導(dǎo)通電阻和極佳的開�(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式� ThinSOT25 (SC-79),有助于節(jié)省電路板空間并提高功率密��
該型�(hào)特別適合�(duì)效率和熱性能有較高要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2.6A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
柵極電荷�1.9nC(典型值)
輸入電容�350pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � 150°C
封裝類型:ThinSOT25 (SC-79)
SI4890BDY-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其超低�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),這使得它在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,該器件還具有以下�(yōu)�(shì)�
- 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
- 較小的封裝尺寸(ThinSOT25)使其非常適合空間受限的�(yīng)��
- 高速開�(guān)能力使其適用于同步整流和降壓/升壓�(zhuǎn)換器�
- 具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種消費(fèi)類電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,包括但不限于:
- 手機(jī)和平板電腦充電器中的同步整流電路�
- 筆記本適配器和小� DC-DC �(zhuǎn)換器�
- USB-PD 控制器的�(fù)載開�(guān)�
- 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)�
- LED �(qū)�(dòng)器和便攜式設(shè)備的電源管理模塊�
由于其出色的效率表現(xiàn),SI4890BDY-T1-GE3 成為眾多工程師設(shè)�(jì)高效電源解決方案的理想選��
SI4891DY, SI4432DY, BSS138