SI4925DDY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率,適用于高頻開�(guān)�(yīng)�。它具有出色的開�(guān)特性和熱性能,廣泛用� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式設(shè)備中的電源管理�
這款 MOSFET 的封裝形式為 ThinSOT23-6L,有助于節(jié)省電路板空間,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)�
最大漏源電�(VDS)�30V
最大柵源電�(VGS):�8V
連續(xù)漏極電流(ID)�7.6A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�6mΩ(在 VGS=4.5V �(shí)�
柵極電荷(Qg)�10nC
總電�(Ciss)�130pF
工作溫度范圍(TJ)�-55� � +150�
封裝形式:ThinSOT23-6L
SI4925DDY-T1-GE3 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),能夠有效降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場��
3. 小尺� ThinSOT23-6L 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡化設(shè)�(jì)布局�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鹵素�
5. 支持高電流操�,同�(shí)保持較低的溫�,確保可靠性和�(wěn)定性�
6. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的使用需求�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或開�(guān)管�
3. �(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器 (POL) 和分布式電源架構(gòu)中的高效功率�(zhuǎn)��
4. 電池供電系統(tǒng)的充放電控制�
5. 各種小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和繼電器控制�
6. 可攜式電子產(chǎn)品如筆記本電�、平板電腦和智能手機(jī)的內(nèi)部電源電��
SI4417DY, SI4446DY