SI4933DY-T1-E3 時(shí)間：2025/5/29 17:29:38 閱讀：13

SI4933DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技術(shù)。該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用，能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的效率。其小型化的封裝使其非常適合于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池供電設(shè)備等。
　　這款 MOSFET 具有出色的開關(guān)性能，支持高達(dá) 20V 的漏源電壓（VDS），并能在大電流條件下保持低損耗特性。此外，它還具備快速開關(guān)速度和低柵極電荷，有助于減少開關(guān)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓（VDS）：20V
　　連續(xù)漏極電流（ID）：5.6A
　　導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值，在 VGS=10V 時(shí)）
　　柵極電荷（Qg）：13nC（典型值）
　　輸入電容（Ciss）：185pF（典型值）
　　總電容（Crss）：17pF（典型值）
　　輸出電容（Coss）：38pF（典型值）
　　功耗：1.2W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝類型：PowerPAK? 1212-8

特性

SI4933DY-T1-E3 提供了超低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)，從而降低了導(dǎo)通損耗，并提升了整體系統(tǒng)效率。
　　該器件采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技術(shù)，確保了更小的芯片面積和更高的電流密度。
　　其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)，從而降低開關(guān)損耗。
　　該 MOSFET 支持高頻率運(yùn)行，適合于各種開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用。
　　同時(shí)，由于其工作溫度范圍寬廣，因此能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　PowerPAK? 1212-8 封裝具有出色的熱性能和電氣性能，適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，包括但不限于：
　　- 同步降壓轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)
　　- 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
　　- 工業(yè)控制及自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　- 電池保護(hù)電路
　　- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
　　- LED 驅(qū)動(dòng)器
　　- 數(shù)據(jù)通信和電信設(shè)備中的功率管理模塊