SI4933DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TrenchFET 第三代技�(shù)。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)用,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的效�。其小型化的封裝使其非常適合于空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備等�
這款 MOSFET 具有出色的開�(guān)性能,支持高�(dá) 20V 的漏源電壓(VDS�,并能在大電流條件下保持低損耗特�。此�,它還具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷,有助于減少開關(guān)損��
最大漏源電壓(VDS):20V
連續(xù)漏極電流(ID):5.6A
�(dǎo)通電阻(RDS(on)):3.7mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg):13nC(典型值)
輸入電容(Ciss):185pF(典型值)
總電容(Crss):17pF(典型值)
輸出電容(Coss):38pF(典型值)
功耗:1.2W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:PowerPAK? 1212-8
SI4933DY-T1-E3 提供了超低的�(dǎo)通電� RDS(on),從而降低了�(dǎo)通損�,并提升了整體系�(tǒng)效率�
該器件采用了 Vishay � TrenchFET 第三代技�(shù),確保了更小的芯片面積和更高的電流密��
其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),從而降低開�(guān)損��
� MOSFET 支持高頻率運(yùn)�,適合于各種開關(guān)模式電源 (SMPS) �(yīng)用�
同時(shí),由于其工作溫度范圍寬廣,因此能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
PowerPAK? 1212-8 封裝具有出色的熱性能和電氣性能,適合緊湊型�(shè)�(jì)需求�
該器件廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
- 同步降壓�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流開�(guān)
- 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
- 工業(yè)控制及自�(dòng)化系�(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 電池保護(hù)電路
- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
- LED �(qū)�(dòng)�
- �(shù)�(jù)通信和電信設(shè)備中的功率管理模�