SI4933DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技術(shù)。該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的效率。其小型化的封裝使其非常適合于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池供電設(shè)備等。
這款 MOSFET 具有出色的開關(guān)性能,支持高達(dá) 20V 的漏源電壓(VDS),并能在大電流條件下保持低損耗特性。此外,它還具備快速開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗。
最大漏源電壓(VDS):20V
連續(xù)漏極電流(ID):5.6A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):3.7mΩ(典型值,在 VGS=10V 時(shí))
柵極電荷(Qg):13nC(典型值)
輸入電容(Ciss):185pF(典型值)
總電容(Crss):17pF(典型值)
輸出電容(Coss):38pF(典型值)
功耗:1.2W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝類型:PowerPAK? 1212-8
SI4933DY-T1-E3 提供了超低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),從而降低了導(dǎo)通損耗,并提升了整體系統(tǒng)效率。
該器件采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技術(shù),確保了更小的芯片面積和更高的電流密度。
其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān),從而降低開關(guān)損耗。
該 MOSFET 支持高頻率運(yùn)行,適合于各種開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用。
同時(shí),由于其工作溫度范圍寬廣,因此能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
PowerPAK? 1212-8 封裝具有出色的熱性能和電氣性能,適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
該器件廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)
- 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
- 工業(yè)控制及自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 電池保護(hù)電路
- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
- LED 驅(qū)動(dòng)器
- 數(shù)據(jù)通信和電信設(shè)備中的功率管理模塊