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SI4933DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 17:29:38 查看 閱讀:13

SI4933DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技術(shù)。該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的效率。其小型化的封裝使其非常適合于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池供電設(shè)備等。
  這款 MOSFET 具有出色的開關(guān)性能,支持高達(dá) 20V 的漏源電壓(VDS),并能在大電流條件下保持低損耗特性。此外,它還具備快速開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于減少開關(guān)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):20V
  連續(xù)漏極電流(ID):5.6A
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):3.7mΩ(典型值,在 VGS=10V 時(shí))
  柵極電荷(Qg):13nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):185pF(典型值)
  總電容(Crss):17pF(典型值)
  輸出電容(Coss):38pF(典型值)
  功耗:1.2W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝類型:PowerPAK? 1212-8

特性

SI4933DY-T1-E3 提供了超低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),從而降低了導(dǎo)通損耗,并提升了整體系統(tǒng)效率。
  該器件采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技術(shù),確保了更小的芯片面積和更高的電流密度。
  其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān),從而降低開關(guān)損耗。
  該 MOSFET 支持高頻率運(yùn)行,適合于各種開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用。
  同時(shí),由于其工作溫度范圍寬廣,因此能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  PowerPAK? 1212-8 封裝具有出色的熱性能和電氣性能,適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
  - 同步降壓轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)
  - 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
  - 工業(yè)控制及自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  - 電池保護(hù)電路
  - 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  - LED 驅(qū)動(dòng)器
  - 數(shù)據(jù)通信和電信設(shè)備中的功率管理模塊

si4933dy-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4933dy-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI4933DY
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) P 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐 @ 9.8A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1V @ 500µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs70nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4933DY-T1-E3TR