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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 8:50:24 查看 閱讀�24

SI4936CDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片,基于硅技�(shù)制造。該器件廣泛用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。其�(shè)計旨在提供低�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高能效表現(xiàn),適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)�。此�,該芯片具有出色的熱性能和可靠性,使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下長期穩(wěn)定運(yùn)��
  該型號中的后� '-T1-GE3' 表示 Vishay 的標(biāo)�(zhǔn)卷帶封裝形式,并符合�(huán)保要求(無鉛且符� RoHS �(biāo)�(zhǔn)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�32A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.8mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷(Qg)�55nC
  輸入電容(Ciss)�3760pF
  反向恢復(fù)時間(trr)�70ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

SI4936CDY-T1-GE3 采用� Vishay 的先�(jìn)工藝制�,具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá) 32A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,允許在極端溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 小型化的封裝形式,簡化了 PCB 布局�(shè)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對�(huán)保的要求�

�(yīng)�

這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
  3. 電動工具、家用電器以及其他需要高效功率控制的�(yīng)用場��
  4. 電池管理系統(tǒng)的充放電路徑控制�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電��
  6. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路的設(shè)計�

替代型號

SI4935DY, IRF7736, AO4936

si4936cdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4936cdy-t1-ge3資料 更多>

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si4936cdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫歐 @ 5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds325pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC(窄型)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4936CDY-T1-GE3-NDSI4936CDY-T1-GE3TR