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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 14:46:47 查看 閱讀�17

SI4953ADY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的高效能 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用小型化的 DPAK 封裝,適用于需要高電流�(qū)�(dòng)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,它廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)控制以及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)��
  該器件具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而降低了功率損�,并提高了整體效�。此�,其高雪崩擊穿能力使其在瞬態(tài)條件下也能保持良好的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�28A
  最大柵極源極電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.7mΩ @ Vgs=10V
  總功耗:180W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C to +175°C
  封裝類型:DPAK (TO-263)

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力(28A),適合大功率應(yīng)��
  3. 快速開�(guān)速度,能夠降低開�(guān)損��
  4. 增強(qiáng)的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
  5. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并降低了�(duì)�(qū)�(dòng)電路的要��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  7. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和熱�(guān)斷功�,提升了系統(tǒng)的安全性�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,例如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
  6. 通信電源和服�(wù)器電源模塊中的功率轉(zhuǎn)換元��
  7. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源設(shè)備中的功率管理部件�

替代型號(hào)

SI4954ADY-T1-E3, IRF540N, FDP5810

si4953ady-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4953ady-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI4953ADY
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C53 毫歐 @ 4.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4953ADY-T1-E3TR