SI4967DY-T1 是一款由 Vishay Siliconix 推出的高性能 N 灃道� 渠道 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET Gen IV 技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,適用于需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場�。其封裝形式為熱增強(qiáng)� SO-8 封裝,能夠有效提升散熱性能�
該器件的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),這使其非常適合于高頻開關(guān)�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池保護(hù)電路��
型號(hào):SI4967DY-T1
類型:N 沢道� MOSFET
封裝:SO-8
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5mΩ
Ids(連續(xù)漏極電流):129A
Qg(總柵極電荷):21nC
Vgs(th)(柵源開啟電壓)�1.5V
f(max)(最大工作頻率)�1MHz
功耗:取決于實(shí)際應(yīng)用環(huán)�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI4967DY-T1 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在 Vgs=10V �(shí)僅為 1.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,最� Ids 可達(dá) 129A,滿足大功率�(yīng)用需��
3. 總柵極電� Qg 較低,僅� 21nC,從而實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度和更低的開關(guān)損耗�
4. 支持寬范圍的工作溫度,從 -55°C � +175°C,確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 熱增�(qiáng)� SO-8 封裝�(shè)�(jì),優(yōu)化了散熱性能,適合高功率密度�(yīng)用�
6. 兼容多種電源管理架構(gòu),包括同步整流、降�/升壓�(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
這些特性使� SI4967DY-T1 成為高效�、高可靠性電源轉(zhuǎn)換的理想選擇�
SI4967DY-T1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于筆記本電腦、服�(wù)器和其他電子�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):支持無刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)控制,提供高效的功率輸出�
3. 電池保護(hù):適用于鋰離子電池組的充放電管理,確保電池安全和延長壽命�
4. 工業(yè)自動(dòng)化:用于工業(yè)�(shè)備中的開�(guān)電源和負(fù)載控��
5. 通信�(shè)備:為基站、路由器等通信基礎(chǔ)�(shè)施提供可靠的電源解決方案�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括智能手機(jī)快速充電器、平板電腦適配器等對(duì)效率要求較高的產(chǎn)��
通過其卓越的電氣性能和熱�(wěn)定性,SI4967DY-T1 在各種應(yīng)用中均表�(xiàn)出色�
SI4968DY-T1
SIH49N30E-D
IRL3803PBF