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SI6562CDQ-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 20:48:08 查看 閱讀:13

SI6562CDQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造,具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為 LFPAK88 (PowerPAK? 8x8),支持表面貼裝,非常適合需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景。
  該 MOSFET 的設(shè)計使其能夠在各種電源管理電路中表現(xiàn)出色,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:94A
  導通電阻(典型值):0.78mΩ
  柵極電荷(典型值):65nC
  輸入電容(典型值):3120pF
  總功耗:175W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

SI6562CDQ-T1-GE3 的主要特性包括超低的導通電阻,有助于減少導通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。同時,其極低的柵極電荷使得開關(guān)速度更快,從而降低開關(guān)損耗。此外,該器件具備強大的熱性能和電氣性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。其 LFPAK88 封裝提供了出色的散熱能力,并且符合 RoHS 標準,確保環(huán)保合規(guī)。
  得益于第三代 TrenchFET 技術(shù),該 MOSFET 在小型化封裝內(nèi)實現(xiàn)了高性能表現(xiàn),適合于對空間和效能都有較高要求的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

SI6562CDQ-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  2. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)
  3. 高效負載開關(guān)
  4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源模塊
  5. 各種電機驅(qū)動控制電路
  6. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器和轉(zhuǎn)換器
  由于其優(yōu)異的性能和可靠性,該器件特別適合于需要高功率密度和快速動態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用環(huán)境。

替代型號

SI6563DDQ-T1-GE3, SI6576DDQ-T1-GE3

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si6562cdq-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 溝道
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.7A,6.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫歐 @ 5.7A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds850pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.6W,1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-TSSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI6562CDQ-T1-GE3TR