時間：2025/6/5 20:48:08
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SI6562CDQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為 LFPAK88 (PowerPAK? 8x8)，支持表面貼裝，非常適合需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景。
該 MOSFET 的設(shè)計使其能夠在各種電源管理電路中表現(xiàn)出色，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：94A
導通電阻（典型值）：0.78mΩ
柵極電荷（典型值）：65nC
輸入電容（典型值）：3120pF
總功耗：175W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
SI6562CDQ-T1-GE3 的主要特性包括超低的導通電阻，有助于減少導通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。同時，其極低的柵極電荷使得開關(guān)速度更快，從而降低開關(guān)損耗。此外，該器件具備強大的熱性能和電氣性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。其 LFPAK88 封裝提供了出色的散熱能力，并且符合 RoHS 標準，確保環(huán)保合規(guī)。
得益于第三代 TrenchFET 技術(shù)，該 MOSFET 在小型化封裝內(nèi)實現(xiàn)了高性能表現(xiàn)，適合于對空間和效能都有較高要求的應(yīng)用場景。
SI6562CDQ-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
2. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)
3. 高效負載開關(guān)
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源模塊
5. 各種電機驅(qū)動控制電路
6. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器和轉(zhuǎn)換器
由于其優(yōu)異的性能和可靠性，該器件特別適合于需要高功率密度和快速動態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用環(huán)境。
SI6563DDQ-T1-GE3, SI6576DDQ-T1-GE3
