SI7119DN 是一款由 Vishay 推出� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),能夠提供更低的�(dǎo)通電阻和更高的效�,適用于各種高效率開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� ThinPAK 3x3,具有極佳的熱性能和緊湊的尺寸,非常適合空間受限的�(shè)��
該型� SI7119DN-T1-GE3 屬于工業(yè)級產(chǎn)�,工作溫度范圍寬廣(-55°C � +175°C),使其在極端環(huán)境下的表�(xiàn)依然�(wěn)定可��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�26A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�28nC(典型值)
輸入電容�1140pF(典型值)
總耗散功率�14W(在 θJA=45°C/W 時)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
3. 小型化封裝(ThinPAK 3x3�,節(jié)� PCB 空間�
4. 高雪崩耐量和魯棒�,能夠在�(yán)苛條件下�(wěn)定工��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)計�
6. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種工業(yè)場景�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效能、快速開�(guān)的場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)的功率級控制�
4. 電信�(shè)備及�(shù)�(jù)通信中的�(fù)載切換�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)電路�
6. 電動工具和汽車電子中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
SI4476DY, IRF7843TRPBF, FDP5500AN