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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 13:24:26 查看 閱讀�28

SI7119DN 是一款由 Vishay 推出� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),能夠提供更低的�(dǎo)通電阻和更高的效�,適用于各種高效率開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� ThinPAK 3x3,具有極佳的熱性能和緊湊的尺寸,非常適合空間受限的�(shè)��
  該型� SI7119DN-T1-GE3 屬于工業(yè)級產(chǎn)�,工作溫度范圍寬廣(-55°C � +175°C),使其在極端環(huán)境下的表�(xiàn)依然�(wěn)定可��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�28nC(典型值)
  輸入電容�1140pF(典型值)
  總耗散功率�14W(在 θJA=45°C/W 時)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
  3. 小型化封裝(ThinPAK 3x3�,節(jié)� PCB 空間�
  4. 高雪崩耐量和魯棒�,能夠在�(yán)苛條件下�(wěn)定工��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)計�
  6. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種工業(yè)場景�

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效能、快速開�(guān)的場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
  3. 電機�(qū)動和電池管理系統(tǒng)的功率級控制�
  4. 電信�(shè)備及�(shù)�(jù)通信中的�(fù)載切換�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)電路�
  6. 電動工具和汽車電子中的功率轉(zhuǎn)換模塊�

替代型號

SI4476DY, IRF7843TRPBF, FDP5500AN

si7119dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si7119dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.05 歐姆 @ 1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds666pF @ 50V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7119DN-T1-GE3TR