国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置:電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 12:24:45 查看 閱讀:20

SI7272DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率的特點(diǎn),適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、同步整流以及電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。
  其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8(TSSOP),能夠提供出色的散熱性能,并支持高頻開關(guān)操作。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:54A
  導(dǎo)通電阻(典型值):1.5mΩ
  柵極電荷(典型值):59nC
  輸入電容(典型值):1740pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to 175℃272DP-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,可滿足大功率應(yīng)用需求。
  3. 快速開關(guān)性能,降低開關(guān)損耗。
  4. 先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù)確保了卓越的電氣性能和可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保設(shè)計(jì)。
  6. 封裝具備優(yōu)秀的熱特性和電氣隔離能力,適用于緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 降壓或升壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心組件。
  3. 各類負(fù)載開關(guān),用于動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電路中的電流流動(dòng)。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
  5. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中需要高效功率轉(zhuǎn)換的部分。

替代型號(hào)

SI7460DP, IRF7736, AO3400A

si7272dp-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si7272dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

si7272dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 15V
  • 功率 - 最大22W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 雙
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7272DP-T1-GE3TR