SI7272DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率的特點(diǎn),適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、同步整流以及電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。
其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8(TSSOP),能夠提供出色的散熱性能,并支持高頻開關(guān)操作。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:54A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.5mΩ
柵極電荷(典型值):59nC
輸入電容(典型值):1740pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃ to 175℃272DP-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力,可滿足大功率應(yīng)用需求。
3. 快速開關(guān)性能,降低開關(guān)損耗。
4. 先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù)確保了卓越的電氣性能和可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保設(shè)計(jì)。
6. 封裝具備優(yōu)秀的熱特性和電氣隔離能力,適用于緊湊型設(shè)計(jì)。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. 降壓或升壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心組件。
3. 各類負(fù)載開關(guān),用于動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電路中的電流流動(dòng)。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
5. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
6. 汽車電子系統(tǒng)中需要高效功率轉(zhuǎn)換的部分。
SI7460DP, IRF7736, AO3400A