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SI7272DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/16 12:24:45 查看 閱讀：20

SI7272DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率的特點(diǎn)，適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、同步整流以及電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　其封裝形式為 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8（TSSOP），能夠提供出色的散熱性能，并支持高頻開關(guān)操作。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：54A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.5mΩ
　　柵極電荷（典型值）：59nC
　　輸入電容（典型值）：1740pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃272DP-T1-GE3 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，可滿足大功率應(yīng)用需求。
　　3. 快速開關(guān)性能，降低開關(guān)損耗。
　　4. 先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù)確保了卓越的電氣性能和可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保設(shè)計(jì)。
　　6. 封裝具備優(yōu)秀的熱特性和電氣隔離能力，適用于緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流元件。
　　2. 降壓或升壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心組件。
　　3. 各類負(fù)載開關(guān)，用于動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電路中的電流流動(dòng)。
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)電路。
　　5. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中需要高效功率轉(zhuǎn)換的部分。

替代型號(hào)

SI7460DP, IRF7736, AO3400A

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si7272dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫歐 @ 15A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 15V
  • 功率 - 最大22W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 雙
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8 Dual
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI7272DP-T1-GE3TR