時間：2025/5/22 2:47:59
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SI7485DP-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沯道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于高效率、高性能的開關(guān)應(yīng)用。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，廣泛用于消費電子、工業(yè)控制及汽車電子等領(lǐng)域。
這款 MOSFET 專為要求低功耗和高可靠性的應(yīng)用場景設(shè)計，能夠顯著降低導(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：34A
導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：9nC
總熱阻（結(jié)到環(huán)境）：62.5°C/W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
SI7485DP-T1-E3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在大電流應(yīng)用中有效減少功耗。
2. 快速開關(guān)性能，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高雪崩能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
4. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，確保其在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定性。
5. 支持無鉛工藝，滿足環(huán)保要求。
6. 緊湊型 TO-252 封裝，便于 PCB 布局和散熱設(shè)計。
該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換。
3.保護(hù)和配電。
4. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
5. LED 驅(qū)動器中的高效開關(guān)元件。
6. 便攜式電子設(shè)備中的充電電路和保護(hù)電路。
SI7860DP, IRFZ44N, FDP5800
