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SI9434DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/15 13:05:14 查看 閱讀：26

SI9434DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝形式，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用和負(fù)載切換等場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻特性使其成為功率管理電路的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：4.2A
　　導(dǎo)通電阻：5mΩ
　　總柵極電荷：7nC
　　開關(guān)頻率：高達(dá) 1MHz
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

SI9434DY-T1-GE3 具有非常低的導(dǎo)通電阻（5mΩ），這有助于減少功率損耗并提高效率。此外，它還具有快速的開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用。該器件具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，在高溫環(huán)境下也能保持良好的性能。
　　其封裝設(shè)計(jì)支持表面貼裝技術(shù)（SMT），便于自動(dòng)化生產(chǎn)。同時(shí)，SO-8 封裝提供了良好的散熱性能，適合中高功率應(yīng)用。

應(yīng)用

該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。其高頻特性和低導(dǎo)通電阻使其特別適合便攜式電子設(shè)備中的電源管理單元。
　　此外，由于其寬廣的工作溫度范圍，SI9434DY-T1-GE3 也適用于汽車電子、工業(yè)控制以及其他需要在極端環(huán)境下工作的應(yīng)用。

替代型號(hào)

SI9435DY, IRF7409TRPBF, FDS6680

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