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時(shí)間：2025/5/30 22:50:55
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SI9934BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道 MOSFET 功率晶體管。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換電路。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
該型號(hào)中的具體后綴 '-T1-GE3' 表示 Vishay 的內(nèi)部分類或封裝測試標(biāo)準(zhǔn)，主要強(qiáng)調(diào)其經(jīng)過嚴(yán)格篩選以滿足特定性能要求。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：27A
導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
總柵極電荷：16nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
SI9934BDY-T1-GE3 提供了非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這使得它的傳導(dǎo)損耗最小化，從而提高了整體效率。此外，其快速的開關(guān)性能減少了開關(guān)損耗，非常適合高頻應(yīng)用。該器件還具有較高的雪崩能量能力，增強(qiáng)了在異常情況下的可靠性。
此 MOSFET 還具備正溫度系數(shù)，有助于并聯(lián)使用時(shí)實(shí)現(xiàn)更好的均流效果。同時(shí)，TO-252 封裝提供了良好的散熱性能，支持高功率密度設(shè)計(jì)。
另外，其符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適合環(huán)保要求嚴(yán)格的項(xiàng)目需求。
這款 MOSFET 常用于各種功率電子領(lǐng)域，包括但不限于：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
3. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制
由于其高性能特點(diǎn)，SI9934BDY-T1-GE3 特別適合需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場景。
SI9934DY, IRFZ44N, FDP5800
