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SI9953DY-T1-E3 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 12:38:00 查看 閱讀:13

SI9953DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為小尺寸的 TSOP-6(T1 封裝),非常適合空間受限的設(shè)計場景。
  這款 MOSFET 的典型應(yīng)用場景包括 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、同步整流電路以及電池供電設(shè)備中的開關(guān)應(yīng)用等。其優(yōu)異的性能使其成為高效率、高密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:3.8A
  導(dǎo)通電阻:2.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷:12nC
  總電容:175pF
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI9953DY-T1-E3 提供了非常低的導(dǎo)通電阻,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效率。同時,它具備快速開關(guān)特性,能夠有效降低開關(guān)損耗。
  此外,該器件的 TrenchFET 第三代技術(shù)顯著改善了單位面積內(nèi)的性能表現(xiàn),使得其能夠在較小的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)大電流處理能力。
  其出色的熱穩(wěn)定性和可靠性也確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。
  由于其優(yōu)化的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計,SI9953DY-T1-E3 成為了眾多便攜式電子設(shè)備和高效能電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。

應(yīng)用

SI9953DY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
  2. 同步整流電路中的下管開關(guān)
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換
  6. 可穿戴設(shè)備和其他對空間要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)備
  總之,任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和低功耗控制的應(yīng)用場景都可以考慮使用此款 MOSFET。

替代型號

SI4446DY, SI4457DY, SiS820ADV

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