SI9953DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為小尺寸� TSOP-6(T1 封裝�,非常適合空間受限的�(shè)計場��
這款 MOSFET 的典型應(yīng)用場景包� DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器、同步整流電路以及電池供電設(shè)備中的開�(guān)�(yīng)用等。其�(yōu)異的性能使其成為高效率、高密度功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�3.8A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�12nC
總電容:175pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
SI9953DY-T1-E3 提供了非常低的導(dǎo)通電�,從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效�。同�,它具備快速開�(guān)特性,能夠有效降低開關(guān)損��
此外,該器件� TrenchFET 第三代技�(shù)顯著改善了單位面積內(nèi)的性能表現(xiàn),使得其能夠在較小的封裝�(nèi)�(shí)�(xiàn)大電流處理能��
其出色的熱穩(wěn)定性和可靠性也確保了在�(yán)苛環(huán)境下的長期穩(wěn)定運(yùn)��
由于其優(yōu)化的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)�,SI9953DY-T1-E3 成為了眾多便攜式電子�(shè)備和高效能電源系�(tǒng)中的�(guān)鍵元��
SI9953DY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
2. 同步整流電路中的下管開關(guān)
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切�
6. 可穿戴設(shè)備和其他對空間要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)�
總之,任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和低功耗控制的�(yīng)用場景都可以考慮使用此款 MOSFET�
SI4446DY, SI4457DY, SiS820ADV