時間：2025/6/5 12:38:00
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SI9953DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度，適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為小尺寸的 TSOP-6（T1 封裝），非常適合空間受限的設(shè)計場景。
這款 MOSFET 的典型應(yīng)用場景包括 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、同步整流電路以及電池供電設(shè)備中的開關(guān)應(yīng)用等。其優(yōu)異的性能使其成為高效率、高密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流：3.8A
導(dǎo)通電阻：2.5mΩ（在 Vgs=10V 時）
柵極電荷：12nC
總電容：175pF
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
SI9953DY-T1-E3 提供了非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗并提高了整體效率。同時，它具備快速開關(guān)特性，能夠有效降低開關(guān)損耗。
此外，該器件的 TrenchFET 第三代技術(shù)顯著改善了單位面積內(nèi)的性能表現(xiàn)，使得其能夠在較小的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)大電流處理能力。
其出色的熱穩(wěn)定性和可靠性也確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。
由于其優(yōu)化的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計，SI9953DY-T1-E3 成為了眾多便攜式電子設(shè)備和高效能電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。
SI9953DY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)
2. 同步整流電路中的下管開關(guān)
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換
6. 可穿戴設(shè)備和其他對空間要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)備
總之，任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和低功耗控制的應(yīng)用場景都可以考慮使用此款 MOSFET。
SI4446DY, SI4457DY, SiS820ADV
