時間：2025/6/4 1:26:36
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SI9956DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用 TrenchFET 第三代技術，具有極低的導通電阻和高效率，適用于高頻開關應用。其封裝形式為 PowerPAK SO-8，適合表面貼裝工藝。
這款 MOSFET 廣泛用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關、同步整流、電機驅(qū)動以及便攜式電子設備中的功率管理電路。
型號：SI9956DY-T1-GE3
類型：N 溝道 MOSFET
Vds（漏源電壓）：60V
Rds(on)（導通電阻，典型值）：2.5mΩ
Id（連續(xù)漏電流）：47A
Vgs(th)（柵極開啟電壓）：1.3V 至 2.5V
Qg（柵極電荷）：15nC
fsw（最大開關頻率）：2MHz
封裝：PowerPAK SO-8
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
SI9956DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低傳導損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高效率設計使其非常適合高頻開關應用，如同步整流和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
3. TrenchFET 第三代技術提高了功率密度并降低了總功耗。
4. 小巧的 PowerPAK SO-8 封裝節(jié)省了 PCB 空間，并提供了良好的熱性能。
5. 支持寬范圍的工作溫度，適應多種工業(yè)及消費類環(huán)境。
該 MOSFET 主要應用于以下領域：
1. 筆記本電腦和臺式機中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 各種類型的負載開關。
3. 同步整流電路。
4. 電機驅(qū)動控制。
5. 消費類電子產(chǎn)品中的電池管理模塊。
6. 工業(yè)自動化設備中的電源管理單元。
SIH995DH, SI4482DY
