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SIR464DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 11:02:41 查看 閱讀：13

SIR464DP-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，屬于 Infineon（英飛凌）推出的 OptiMOS 系列。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
　　其封裝形式為 DPAK (TO-252)，并支持表面貼裝技術(shù) (SMD)，適合自動(dòng)化生產(chǎn)。此型號(hào)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，可顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能。

參數(shù)

類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓 (VDS)：60V
　　最大柵源電壓 (VGS)：±20V
　　連續(xù)漏極電流 (ID)：49A
　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：3.8mΩ
　　柵極電荷 (Qg)：34nC
　　總熱阻 (Rth(j-a))：40°C/W
　　工作溫度范圍：-55°C to +175°C

特性

SIR464DP-T1-GE3 提供了出色的電氣性能和可靠性，主要特點(diǎn)包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (3.8mΩ)，從而減少功率損耗。
　　2. 高額定電流能力 (49A)，適用于大功率應(yīng)用。
　　3. 快速開關(guān)速度和低柵極電荷 (34nC)，有助于提升效率并減少開關(guān)損耗。
　　4. 耐雪崩能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的穩(wěn)健性。
　　5. 寬廣的工作溫度范圍 (-55°C 到 +175°C)，確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。

應(yīng)用

這款 MOSFET 器件非常適合需要高效能和高可靠性的場(chǎng)景，典型應(yīng)用領(lǐng)域如下：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊。
　　5. 太陽(yáng)能逆變器和其他綠色能源相關(guān)設(shè)備。
　　6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電信電源單元。

替代型號(hào)

SIR464DP,
　　SIR464DP-07-E,
　　SIR464DP_T1_GE3,
　　Infineon 同系列其他版本如 IRFH5010TRPbF

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sir464dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫歐 @ 15A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3545pF @ 15V
  • 功率 - 最大69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR464DP-T1-GE3TR