SIR464DP-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,屬于 Infineon(英飛凌)推出的 OptiMOS 系列。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
其封裝形式為 DPAK (TO-252),并支持表面貼裝技術(shù) (SMD),適合自動(dòng)化生產(chǎn)。此型號(hào)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),可顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓 (VDS):60V
最大柵源電壓 (VGS):±20V
連續(xù)漏極電流 (ID):49A
導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):3.8mΩ
柵極電荷 (Qg):34nC
總熱阻 (Rth(j-a)):40°C/W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
SIR464DP-T1-GE3 提供了出色的電氣性能和可靠性,主要特點(diǎn)包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (3.8mΩ),從而減少功率損耗。
2. 高額定電流能力 (49A),適用于大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度和低柵極電荷 (34nC),有助于提升效率并減少開關(guān)損耗。
4. 耐雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的穩(wěn)健性。
5. 寬廣的工作溫度范圍 (-55°C 到 +175°C),確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
這款 MOSFET 器件非常適合需要高效能和高可靠性的場(chǎng)景,典型應(yīng)用領(lǐng)域如下:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊。
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他綠色能源相關(guān)設(shè)備。
6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電信電源單元。
SIR464DP,
SIR464DP-07-E,
SIR464DP_T1_GE3,
Infineon 同系列其他版本如 IRFH5010TRPbF