SLF10N60C是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用超�(jié)技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適用于各種高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
該芯片的主要特點(diǎn)是能夠在高頻條件下提供高效的功率�(zhuǎn)換,同時保持較低的功�。其600V的額定電壓使其非常適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.24Ω
柵極電荷(典型值)�45nC
輸入電容(典型值)�1590pF
反向恢復(fù)時間�85ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 超結(jié)技�(shù)�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿電壓的完美�(jié)��
2. 極低的開�(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
3. 快速的反向恢復(fù)特�,減少開�(guān)過程中的能量損失�
4. 高雪崩能�,提升器件在異常條件下的可靠��
5. 小尺寸封�,便于PCB布局�(shè)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機(jī)�(qū)�
5. 工業(yè)控制�(shè)�
6. LED照明�(qū)動電�
7. 充電器及適配�
8. 各類高壓開關(guān)電路
STF10N60K5, IRFB40N60C, FDP15N60E