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SMUN5114T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 13:03:13 查看 閱讀�24

SMUN5114T1G 是一� N 溝道增強� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件廣泛用于功率�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  � MOSFET 的設(shè)計特點在于其高雪崩耐量能力和低柵極電荷特性,使其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�78A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵源開啟電壓�4V
  總功耗:225W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�

特�

SMUN5114T1G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下具備更強的魯棒��
  3. 低柵極電� (Qg),可實現(xiàn)更快的開�(guān)速度和更高的工作頻率�
  4. 良好的熱性能和電氣性能,適用于嚴苛的工作環(huán)��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

SMUN5114T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機�(qū)動和逆變器中的功率級開關(guān)�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載控制�
  4. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  5. 大功� LED �(qū)動電路�
  6. 各種需要高效功率管理的�(yīng)用場��

替代型號

IRF7739PBF, STP75NE06LC6, FDP16N06L

smun5114t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

smun5114t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列*