SMUN5114T1G 是一� N 溝道增強� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件廣泛用于功率�(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
� MOSFET 的設(shè)計特點在于其高雪崩耐量能力和低柵極電荷特性,使其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�78A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵源開啟電壓�4V
總功耗:225W
工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
SMUN5114T1G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下具備更強的魯棒��
3. 低柵極電� (Qg),可實現(xiàn)更快的開�(guān)速度和更高的工作頻率�
4. 良好的熱性能和電氣性能,適用于嚴苛的工作環(huán)��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
SMUN5114T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動和逆變器中的功率級開關(guān)�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載控制�
4. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
5. 大功� LED �(qū)動電路�
6. 各種需要高效功率管理的�(yīng)用場��
IRF7739PBF, STP75NE06LC6, FDP16N06L