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SMUN5235DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 12:23:40 查看 閱讀�7

SMUN5235DW1T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,由 Texas Instruments 提供。該器件采用� GaN FET �(jié)�(gòu),具有高�(kāi)�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效的性能特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)主要針對(duì)高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、電信電�、服�(wù)器電源以及工�(yè)�(yīng)用中的高效能電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  SMUN5235DW1T1G 的封裝形式為 WSON-8 封裝,支持更高的功率密度和更小的解決方案尺寸,非常適合需要高效率和快速開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

額定電壓�600V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  �(dǎo)通電阻:55mΩ
  柵極電荷�19nC
  �(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)�(shù)MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝�(lèi)型:WSON-8

特�

SMUN5235DW1T1G 具有卓越的電氣性能和熱性能,其主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵技�(shù),顯著降低導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗�
  2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 55mΩ,有助于提高整體系統(tǒng)效率�
  3. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,減少磁性元件的體積和重��
  4. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
  5. 支持寬禁帶半�(dǎo)體技�(shù),具備更好的熱穩(wěn)定性和耐高溫能��
  6. 小型化的 WSON-8 封裝,簡(jiǎn)� PCB 布局并優(yōu)化散熱性能�

�(yīng)�

SMUN5235DW1T1G 廣泛�(yīng)用于�(duì)效率和:
  1. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 筆記本電腦和移動(dòng)�(shè)備的快充適配��
  3. 電信基站的電源模塊�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和可再生能源逆變��
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換器和其他高效率電力�(zhuǎn)換應(yīng)��

替代型號(hào)

LMG3411R030
  TPS25987D
  GaN Systems GS66518B

smun5235dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

smun5235dw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列*