SNJ55121J 是一款高性能、低功耗的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度等特�,適用于多種電力電子�(yīng)�。其出色的性能使其成為電源管理、電機驅(qū)動以及負(fù)載切換等場景的理想選��
SNJ55121J 通過�(yōu)化設(shè)計降低了�(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率。同時,它具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源極電壓(Vds)�60V
最大柵源極電壓(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�48nC
輸入電容(Ciss)�1750pF
輸出電容(Coss)�35pF
開關(guān)時間:ton=9ns,toff=12ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
SNJ55121J 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力�60V 的最大漏源極電壓,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運行�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V �,導(dǎo)通電阻僅� 4mΩ,有助于降低�(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)性能:短開關(guān)時間(ton=9ns,toff=12ns),減少開關(guān)過程中的能量損失�
4. 大電流承載能力:支持高達(dá) 30A 的持�(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需��
5. 寬工作溫度范圍:-55� � +175�,適合極端環(huán)境下的使��
6. 熱穩(wěn)定性強:優(yōu)秀的散熱性能和可靠性,延長器件壽命�
7. 抗靜電能力:人體模型 (HBM) � 2000V,機器模� (MM) � 200V,提高抗干擾能力�
SNJ55121J 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組��
SNJ55120P, IRF540N, FDP55N06L