SPH252010H1R0MT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工�,具備出色的�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,能夠在高電流和高頻�(yīng)用中提供高效能表�(xiàn)�
這款功率MOSFET屬于N溝道增強�,其�(shè)計旨在滿足工�(yè)和消費類電子�(shè)備對節(jié)能與可靠性的需�。通過�(yōu)化的封裝形式和低寄生電感特性,SPH252010H1R0MT能夠顯著減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
型號:SPH252010H1R0MT
Vds(漏源電壓)�100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.0mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):250A
Qg(柵極電荷)�35nC
fsw(最大工作頻率)�1MHz
Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃至175�
封裝形式:TO-247
SPH252010H1R0MT的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣性能和可靠�。以下是主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,并提升整體系�(tǒng)的效��
2. 快速開�(guān)能力,支持高�1MHz的工作頻�,非常適合高頻應(yīng)用場��
3. 高耐壓能力(Vds=100V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
4. 大電流承載能力(Id=250A�,使其適用于大功率應(yīng)用領(lǐng)��
5. 封裝形式為TO-247,具備良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性�
6. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至175℃),適�(yīng)各種極端�(huán)境條��
此外,該器件還具有較低的柵極電荷(Qg=35nC�,可有效減少開關(guān)過程中的能量損失�
SPH252010H1R0MT由于其優(yōu)異的性能,被廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�,包括AC-DC適配器和電源模塊�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和高頻工作的場景中�
3. 電機�(qū)動電�,例如電動車�、風(fēng)扇和其他小型電機控制�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和保護功能�
5. 充電器和電池管理系統(tǒng)(BMS),以實�(xiàn)高效的能量管��
6. 可再生能源系�(tǒng),如太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
總之,任何需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用都可以從SPH252010H1R0MT的特性中受益�
SPH252010H1R1MT, SPH252010H1R2MT