時間：2025/6/3 9:16:30
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SPW55N80C3是一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓，適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。其設(shè)計能夠承受高電流負(fù)載，并提供高效的功率轉(zhuǎn)換能力。
型號：SPW55N80C3
類型：N溝道MOSFET
封裝：TO-220
最大漏源電壓(Vds)：800V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：5.5A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.6Ω（典型值，Vgs=10V）
總功耗(Ptot)：140W
工作結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ to +175℃
SPW55N80C3具備以下特點：
1. 高擊穿電壓（800V），適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 較低的導(dǎo)通電阻（1.6Ω），有助于降低功率損耗并提升效率。
3. 快速開關(guān)性能，適用于高頻電路。
4. 穩(wěn)定的熱性能，在高溫條件下仍能保持良好的運行狀態(tài)。
5. 封裝形式為TO-220，易于安裝并提供良好的散熱能力。
6. 廣泛的工作結(jié)溫范圍（-55℃至+175℃），適應(yīng)各種極端溫度環(huán)境。
SPW55N80C3主要應(yīng)用于以下場景：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換。
2. 電機驅(qū)動和控制電路。
3. 逆變器和UPS系統(tǒng)。
4. 各種工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
5. LED驅(qū)動器和其他需要高效功率處理的應(yīng)用。
6. 電池充電器及保護電路。
SPW56N80C3, IRF840, STP55NF06L
