類型：N溝道 MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　持續(xù)漏極電流(Id)：56A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.3mΩ
　　總功耗(Ptot)：170W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-263-3

SQCB1M561KAJME 具備以下突出特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用，減少磁性元件體積。
　　3. 強(qiáng)大的電流承載能力，適合大功率負(fù)載場(chǎng)景。
　　4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)器件抗靜電能力，提高可靠性。
　　5. 緊湊型封裝設(shè)計(jì)，便于 PCB 布局優(yōu)化及散熱管理。
　　6. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)多種惡劣環(huán)境下的使用需求。

該芯片適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流電路。
　　2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或續(xù)流二極管替代。
　　3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。
　　5. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器模塊。
　　6. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)電路及其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用。

SQCB1M561KAJM, SQCB1M56AKAJME, IRF540N