SQJ872EP-T1_GE3是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功耗。其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)域�
這款芯片特別�(yōu)化了熱性能和電氣特�,能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的�(wěn)定性和可靠性。同�(shí),它還具備出色的抗浪涌能力和ESD保護(hù)功能,非常適合對(duì)可靠性和耐用性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�42A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�9nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型�30ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
SQJ872EP-T1_GE3的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳�(dǎo)損�,從而提高整體效��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)��
3. 良好的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率密度環(huán)境下的穩(wěn)定��
4. 具備反向恢復(fù)電荷(Qrr)極低的體二極管,可減少開(kāi)�(guān)損��
5. 支持寬范圍的工作溫度區(qū)�,適�(yīng)多種�(yán)苛的�(yīng)用場(chǎng)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封裝�
7. 可靠的短路耐受能力,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全性�
SQJ872EP-T1_GE3適用于以下主要應(yīng)用領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及正負(fù)�(zhuǎn)換拓?fù)�?br> 3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 汽車電子系統(tǒng),如啟動(dòng)馬達(dá)、電�(dòng)車窗和座椅調(diào)節(jié)等功能模��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
6. LED照明�(qū)�(dòng)電路,提供高效節(jié)能解決方��
SQJ872EP-T1_G,
SQJ872DP_T1_GE3,
IRLR7843PbF,
FDMT8720,
AO3402