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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 16:10:34 查看 閱讀�16

SQJ872EP-T1_GE3是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功耗。其封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)域�
  這款芯片特別�(yōu)化了熱性能和電氣特�,能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的�(wěn)定性和可靠性。同�(shí),它還具備出色的抗浪涌能力和ESD保護(hù)功能,非常適合對(duì)可靠性和耐用性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�42A
  �(dǎo)通電阻:1.6mΩ
  柵極電荷�9nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型�30ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

SQJ872EP-T1_GE3的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳�(dǎo)損�,從而提高整體效��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 良好的熱性能�(shè)�(jì),確保在高功率密度環(huán)境下的穩(wěn)定��
  4. 具備反向恢復(fù)電荷(Qrr)極低的體二極管,可減少開(kāi)�(guān)損��
  5. 支持寬范圍的工作溫度區(qū)�,適�(yīng)多種�(yán)苛的�(yīng)用場(chǎng)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封裝�
  7. 可靠的短路耐受能力,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全性�

�(yīng)�

SQJ872EP-T1_GE3適用于以下主要應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及正負(fù)�(zhuǎn)換拓?fù)�?br>  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 汽車電子系統(tǒng),如啟動(dòng)馬達(dá)、電�(dòng)車窗和座椅調(diào)節(jié)等功能模��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  6. LED照明�(qū)�(dòng)電路,提供高效節(jié)能解決方��

替代型號(hào)

SQJ872EP-T1_G,
  SQJ872DP_T1_GE3,
  IRLR7843PbF,
  FDMT8720,
  AO3402

sqj872ep-t1_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqj872ep-t1_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �11.61000剪切帶(CT�3,000 : �4.92112卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�150 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)24.5A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�7.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)35.5 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1045 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)55W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8