SQJA82EP-T1_GE3 是一款高性能的工業(yè)級電子元器件,屬于 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)系列。該型號廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等領(lǐng)域,能夠提供高效率和低功耗的解決方案。其封裝形式為 TO-252,具有良好的散熱性能和可靠性。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:47A
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
工作溫度范圍:-55℃~175℃
封裝形式:TO-252
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗。
2. 高電流承載能力,適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于惡劣的工作環(huán)境。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
6. 提供強(qiáng)大的 ESD(靜電放電)保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的抗干擾能力。
SQJA82EP_T1, SQJA82EP-T1GE3, IRF840, FQP50N06L