SQJA82EP-T1_GE3 是一款高性能的工�(yè)級電子元器件,屬� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)系列。該型號廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(lǐng)域,能夠提供高效率和低功耗的解決方案。其封裝形式� TO-252,具有良好的散熱性能和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
工作溫度范圍�-55℃~175�
封裝形式:TO-252
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損��
2. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于惡劣的工作環(huán)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 提供�(qiáng)大的 ESD(靜電放電)保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
SQJA82EP_T1, SQJA82EP-T1GE3, IRF840, FQP50N06L