STD46P4LLF6 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件屬于MDmesh? MOSFET系列,采用DPAK封裝形式。其�(shè)�(jì)主要針對(duì)�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)域。STD46P4LLF6 提供了低�(dǎo)通電阻和高效率的性能表現(xiàn),同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和抗浪涌能力,適用于各種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�650V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�4.6A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�3.8Ω(在Vgs=10V�(shí)�
總柵極電荷Qg�30nC
輸入電容Ciss�1700pF
輸出電容Coss�90pF
反向傳輸電容Crss�45pF
�(jié)溫范圍Tj�-55℃至+175�
STD46P4LLF6 采用了先�(jìn)的MDmesh?技�(shù),這種技�(shù)顯著降低了導(dǎo)通電阻并提高了功率密度�
該器件具有較高的擊穿電壓,非常適合需要高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
MOSFET 的快速開(kāi)�(guān)特性使其能夠適�(yīng)高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�,并減少�(kāi)�(guān)損耗�
DPAK 封裝提供了出色的散熱性能,確保在高電流和高功率條件下也能保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�
由于其較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷,這款器件能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換,從而降低整體系�(tǒng)功��
此外,STD46P4LLF6 還具備良好的雪崩能力和抗雷擊浪涌保護(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒性�
�(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流�
DC-DC �(zhuǎn)換器的功率級(jí)�(kāi)�(guān)
電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)
電池充電器及�(fù)載切換電�
LED �(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)�(kāi)�(guān)
家用電器及工�(yè)控制�(shè)備中的功率管理單�