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STD85N3LH5 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 3:11:00 查看 閱讀�10

STD85N3LH5是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款高壓功率MOSFET,屬于MDmesh系列。這款器件采用TO-220封裝形式,適合高效率、高頻開關應用。其設計旨在�(yōu)化導通電阻和柵極電荷,從而提升整體的系統(tǒng)效率。該MOSFET廣泛用于開關電源、電機控�、DC-DC轉換器等應用中�
  該器件具有出色的電氣特性和熱特�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定工作。此�,STD85N3LH5還具備低反向恢復電荷(Qrr)的特點,這對于減少開關損耗尤為重��

參數(shù)

最大漏源電壓:850V
  連續(xù)漏極電流�3A
  導通電阻(典型值)�1.7Ω
  柵極電荷�45nC
  總電容(輸入+輸出):300pF
  反向恢復電荷�36nC
  功耗:9W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

STD85N3LH5采用了先進的MDmesh技�,顯著降低了器件的導通電阻,同時提高了散熱性能�
  其高擊穿電壓�850V)使其非常適合應用于高壓�(huán)境,例如工業(yè)設備和汽車電子領�。低柵極電荷和反向恢復電荷有助于降低開關損�,從而提高整體效��
  此外,STD85N3LH5在高溫下的穩(wěn)定性也是一大亮�,能夠滿足嚴苛的工作條件需�。這種MOSFET還具有快速開關能力,適用于高頻電路設��

應用

STD85N3LH5主要應用于需要高壓和高效能的場景,包括但不限于以下領域:
  - 開關電源(SMPS�
  - DC-DC轉換�
  - 電機驅動和控�
  - 工業(yè)逆變�
  - 太陽能微逆變�
  - 汽車電子系統(tǒng)中的高壓開關
  由于其出色的電氣性能和可靠�,這款MOSFET特別適合對效率和耐用性要求較高的應用場合�

替代型號

STD85N3LH6
  STD80N3LH5
  IRFB301PBF

std85n3lh5推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

std85n3lh5參數(shù)

  • 其它有關文件STD85N3LH5 View All Specifications
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列STripFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫歐 @ 40A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1850pF @ 25V
  • 功率 - 最�70W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱497-7976-6