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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > STF6N65M2

STF6N65M2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 14:14:16 查看 閱讀�15

STF6N65M2是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)�。STF6N65M2具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�(diǎn),能夠有效降低電路中的傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損��
  這款MOSFET的設(shè)�(jì)采用了先�(jìn)的制造工�,在保證性能的同�(shí)提高了可靠性和耐用�,適合需要高效能和穩(wěn)定性的電力電子�(shè)備�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻:1.4歐姆(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�27nC(典型值)
  輸入電容�1080pF(典型值)
  總功耗:130W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

STF6N65M2具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓為650V,非常適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電�,僅�1.4歐姆(典型值),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度,柵極電荷較�,可有效降低開關(guān)損��
  4. 小型化設(shè)�(jì),采用標(biāo)�(zhǔn)的TO-220封裝,便于散熱和安裝�
  5. 工作溫度范圍�,支持從-55℃到+150℃的極端溫度條件,確保在各種�(huán)境下的可靠��
  6. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),滿足綠色電子產(chǎn)品的要求�

�(yīng)�

STF6N65M2廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  4. 逆變器及太陽(yáng)能發(fā)電系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高可靠性功率開�(guān)�

替代型號(hào)

STF6N65M3, STF6N65E, IRF640N

stf6n65m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

stf6n65m2資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

stf6n65m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�300�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �13.44000管件
  • 系列MDmesh?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.35 歐姆 @ 2A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)9.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)226 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220FP
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包